[发明专利]一种石墨烯导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

A．沉积镍薄膜层

在玻璃基底上沉积镍薄膜层；所述沉积镍薄膜层的方法为磁控溅射法，本底真空度：8×10^-5～2×10^-4Pa，衬底温度65～80℃；

B、制备氧化石墨烯薄膜层

在镍薄膜层上涂布氧化石墨烯水溶液，在60～90℃条件下烘干，形成厚度为20～30μm的氧化石墨烯薄膜层；

C．沉积石墨烯层

采用CVD法在氧化石墨烯层上沉积石墨烯薄膜层,所述石墨烯薄膜层的厚度为50～90μm；

D．后处理

将步骤C得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将氧化石墨烯薄膜层用稀硝酸进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即得到所述石墨烯导电薄膜。

2.如权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤A中，所述溅射的压力为2Pa。

3.如权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤C中，所述CVD法沉积石墨烯薄膜层过程中，碳源为甲烷，气体为H₂；沉积的温度为560～620℃，沉积的压力为1×10^-4～2×10^-4Pa。

4.如权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤D中，所述清洗是指用稀硝酸溶液对降温后的半成品浸泡0.5～1h，所述稀硝酸的质量浓度为20～30%。

5.如权利要求1所述的一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤D中，所述干燥的条件为90～110℃下干燥30～40min。