[发明专利]一种降低姬菇王畸形率的艾渣培养基及其栽培方法有效
申请号: | 201711022642.1 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107996286B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 康冀川;雷帮星;文庭池;钱一鑫 | 申请(专利权)人: | 贵州大学 |
主分类号: | A01G18/20 | 分类号: | A01G18/20;A01G18/66;A01G18/00 |
代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550025 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 姬菇王 畸形 培养基 及其 栽培 方法 | ||
1.一种降低姬菇王畸形率的栽培方法,其特征在于,步骤如下:
A、菌种活化:
将姬菇王菌种转接于PDA斜面培养基上,25℃培养10~15天,使菌种活力恢复;
B、生产种培养基和生产种的制备:
将玉米、麦麸、蔗糖和石膏粉加水后混匀,装于玻璃瓶或聚丙烯菌袋内,压紧,包扎,121℃高压灭菌45~60分钟,即得生产种培养基;
生产种培养基冷却后,无菌操作下接入斜面菌种,封口,于18~25℃培养7~10天,待菌丝长满、长透培养基后即得生产种;
C、接种:
将1cm3的生产种在无菌操作下,接入艾渣培养基菌包,盖上报纸,包扎袋口;当培养5~7天后要用针在原来两头接种处刺微孔,一头8~10下,增氧透气,并注意不断检查袋间温度变化,不要超过30℃,4~5天慢慢翻动一次,20~25天,养菌结束;
D、发菌、出菇
将步骤C所得接种后的菌包放于培养室内,叠放 5~7层,22℃下进行培养;在姬菇王菌丝生长阶段要求培养基中的含水量为58~63%,温度范围18~25℃,空气相对湿度在65%~70%,黑暗时培养;在子实体生长发育阶段,温度范围8~20℃,空气相对湿度应控制在88%~93%,每天进行8小时的光照培养;待菌丝体长满菌袋时,去掉姬菇王的封口报纸,对姬菇王的菌袋进行开孔;
所述步骤B中的生产种培养基组分以质量比计为玉米85~95%、麦麸8~12%、蔗糖0.8~1.2%、石膏粉0.4~0.6%;
所述步骤C中的艾渣培养基由以下重量份原料制成:棉籽壳35~48份、艾渣40~70份、麦麸10~20份、石膏粉0.5~1.5份、石灰粉0.5~1.5份、蔗糖0.5~1.5份;
所述步骤C中艾渣培养基的制备方法步骤如下:
(1)艾渣的处理:取药厂或药农提取艾片后的艾纳香残渣,晒干,撒其质量为0.22~0.5%的石灰粉,堆放在通风干燥的环境中5~12天,再粉碎成粒径2~3mm的颗粒,备用;
(2)配料:按处方重量份称取各基质原料,加水搅拌均匀;
(3)装料:将混匀的培养基装于聚丙烯菌袋内,装料,压紧,包扎;
(4)灭菌:菌包加热灭菌;
(5)放凉:将灭菌后的菌包放凉,即得艾渣培养基菌包。
2.如权利要求1所述的降低姬菇王畸形率的栽培方法,其特征在于,艾渣培养基含有以下重量份原料:棉籽壳42份、艾渣43份、麦麸15份、石膏粉1份、石灰粉1份、蔗糖1份。
3.如权利要求1所述的降低姬菇王畸形率的栽培方法,其特征在于,步骤D中所述的姬菇王菌丝生长温度为22℃、空气相对湿度为68%、培养基中的含水量为60%。
4.如权利要求1所述的降低姬菇王畸形率的栽培方法,其特征在于,步骤D中所述的姬菇王子实体生长温度为15℃、空气相对湿度应控制在90%。
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