[发明专利]适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板

说明书

技术领域

本发明涉及多晶硅锭技术领域，具体的说是涉及一种适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板。

背景技术

目前，多晶硅锭的制备方法是利用市场主流的定向凝固方法进行制备，该方法通常包括加热、熔化、长晶、退火和冷却五个步骤。但目前通用的多晶铸锭炉由于炉内空间限制，仅可勉强生产1060*1060mm的G6硅锭，面对目前单晶硅片高质量低成本方面的竞争优势，多晶越来越难以满足市场的需求，在这一背景下，我司与设备厂家合作，率先推出了单锭尺寸在1320*1320mm的G8铸锭炉，投炉量大幅提升到1600kg以上，大大降低了铸锭制造成本，提升了有效产能；

与此同时，基于市场对于硅片转换效率越来越高的要求，国内铸锭制造商采用多晶碎小硅料铺底、籽晶诱导生长方法，在初始晶体生长阶段生成大量晶界来达到消除部分位错，减少位错增殖的目的，提升了晶体质量，在硅片制造成本增加不大的基础上硅片光电转换效率得到了显著提升，由原先的17.5%左右大幅提升到了18.6%左右，促进了光伏行业平价发电目标实现的进程；但此过程中，但由于多晶炉内空间限制，晶锭四周保温效果差于其他位置，导致角部晶砖生长过程中以坩埚侧壁为形核点，自发生长出大尺寸斜向晶，且此处固液界面曲率较大，位错容易生成却不容易消除，导致角部位置晶砖晶体质量差于边部和中心位置晶砖，因此如何在多晶炉内空间不足的情况下改善边部保温性能成为了技术人员所面对的一大难题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，针对以上现有技术的缺点，提出一种适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板，不仅提高了产品的保温性能，而且方便了工作人员的操作，达到了安全和性能的统一，结构简单，维护方便。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是通过以下方式实现的：一种适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板，包括护板本体，护板本体为矩形板体，沿护板本体的其中一条长边上对称设置有第一保温安装槽以及第二保温安装槽，第一保温安装槽以及第二保温安装槽中安置有保温软毡，护板本体设有第一保温安装槽以及第二保温安装槽的长边上沿边均匀设有多个漏硅溢流孔，护板本体与第一保温安装槽以及第二保温安装槽相对的长边上沿边均匀设有多个护板通气孔，护板本体的两条宽边上均沿边均匀设置有螺母安装孔。

本发明进一步限定的技术方案是：

前述的适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板，护板本体为石墨护板，其高度为610-630mm，长度为1400-1420mm，整体厚度为30-32mm。

前述的适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板，第一保温安装槽与护板本体的左侧宽边相距89-129mm，第二保温安装槽与护板本体右侧宽边相距25-65mm。

前述的适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板，第一保温安装槽以及第二保温安装槽的宽度为200-250mm，长度为200-350mm，厚度为4-6mm。

前述的适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板，保温软毡与第一保温安装槽以及第二保温安装槽之间的尺寸相配适，第一保温安装槽以及第二保温安装槽安装保温软毡后与护板本体表面相平齐。

前述的适用于提升G8硅锭角部晶砖晶体质量异型护板，保温软毡为耐高温低导热系数的碳材或石棉材料，导热系数为≤0.3W/（m·K）。

本发明的有益效果是：通过本发明的技术方案，护板本体上设有保温安装槽，安装槽中内置有保温软毡，使得在铸锭过程中大锭角部位置的保温性能提高，晶体生长等温面平整度也得到了改善，整锭位错密度降低，晶体质量得到提升，保温毡安装后与护板齐平，因而安装方便，且护板与坩埚完全贴合，无安全风险，达到了安全和性能的最佳统一，方便了工作人员的操作，省时省力，并且该技术方案结构简单，使用方便，维护简单。

附图说明

图1、图2为本发明结构示意图；

图3为本发明剖面图；

其中：1-护板本体，2-第一保温安装槽，3-第二保温安装槽，4-保温软毡，5-护板通气孔，6-螺母安装孔，7-漏硅溢流孔。

具体实施方式

下面对本发明做进一步的详细说明：

实施例1