[发明专利]用于低温植埋的侵入式脑机接口有效

专利信息
申请号: 201711022103.8 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107814865B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 锁志刚;盛昊;汪浩 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C08F220/06 分类号: C08F220/06;C08F220/20;C08F228/02;C08F220/54;C08F216/06;C08J3/075
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 黄欢娣;邱启旺
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 用于 低温 侵入 式脑机 接口
【权利要求书】:

1.用于低温植埋的侵入式脑机接口,其特征在于,包括填充有水凝胶的绝缘柔性管(3),以及与绝缘柔性管(3)内水凝胶相连通的惰性金属电极(1),绝缘柔性管(3)与惰性金属电极(1)固定于基座(2)之中;

所述水凝胶为在35~40℃时弹性模量低于100MPa且生物相容的水凝胶;所述绝缘柔性管(3)为在35~40℃时弹性模量低于1GPa的柔性管;所述水凝胶在埋入脑部时处于冰冻状态。

2.根据权利要求1所述的侵入式脑机接口,其特征在于:所述水凝胶为由溶解在生物相容液中的高分子单体聚合而成的水凝胶,所述生物相容液包括脑脊液、生理盐水。

3.根据权利要求2所述的侵入式脑机接口,其特征在于:所述高分子单体由丙烯酸钠、丙烯酸、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯磺酸钠、二甲基丙烯酰胺、乙烯醇、乙二醇、苯乙烯磺酸钠中的一种或多种组成。

4.根据权利要求1所述的侵入式脑机接口,其特征在于:所述惰性金属电极(1)为铂金、金、银片,或具有铂金,金,银镀层的金属片。

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