[发明专利]压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种压力传感器，其特征在于，包括薄膜晶体管及设于所述薄膜晶体管上的敏感层，所述薄膜晶体管包括半导体层和金属电极，所述金属电极包括设于所述半导体层顶部的栅极，所述敏感层包括上敏感层，所述上敏感层的下表面具有微结构阵列，所述微结构阵列包括多个阵列设置的微结构，所述敏感层还包括覆盖于所述微结构阵列表面的第一导电层，所述第一导电层与所述栅极电性连接；所述微结构的底部设置有凹槽，所述微结构与所述凹槽的形状均为圆柱形，所述凹槽的深度小于所述微结构阵列的厚度。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述敏感层还包括下敏感层及第二导电层，所述下敏感层位于所述第一导电层与所述栅极之间，所述第二导电层覆盖于所述下敏感层的上表面并从所述下敏感层的一端延伸至所述栅极的表面。

3.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，所述多个阵列设置的微结构中相邻两个微结构之间的间距相等。

4.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述半导体层包括衬底、从下而上依次设于所述衬底上的有源层、绝缘层，所述金属电极还包括设于所述衬底与所述有源层之间的源极和漏极，所述源极、漏极分别位于所述衬底的两端。

5.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，还包括设于所述绝缘层与所述下敏感层之间的电阻层，所述电阻层位于所述栅极的一端并延伸至所述栅极的表面。

6.根据权利要求4所述的压力传感器，其特征在于，所述敏感层的材质为聚二甲基硅氧烷，和/或所述有源层的材质为非晶铟镓锌氧化物薄膜。

7.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供一玻璃底板、一薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层和金属电极，所述金属电极包括设于所述半导体层顶部的栅极；

依次采用光刻工艺、刻蚀工艺在所述玻璃底板上形成模板；

在所述模板的表面旋涂聚二甲基硅氧烷并加热固化后在所述模板的表面形成固化层；

将所述固化层从所述模板的表面剥离，获得具有微结构阵列的上敏感层，所述微结构阵列包括多个阵列设置的微结构，所述微结构的底部设置有凹槽，所述微结构与所述凹槽的形状均为圆柱形，所述凹槽的深度小于所述微结构阵列的厚度；

在所述微结构阵列的表面蒸镀一导电薄膜形成第一导电层，获得敏感层；

将所述敏感层组装到所述薄膜晶体管上，以使得所述第一导电层与所述栅极电连接。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在将所述敏感层组装到所述薄膜晶体管上之前，所述制备方法还包括：

在所述薄膜晶体管的表面旋涂聚二甲基硅氧烷并加热固化后在所述薄膜晶体管的表面形成下敏感层；

在所述下敏感层的表面蒸镀一导电薄膜形成第二导电层；

将所述第二导电层与所述第一导电层通过层压工艺进行压合，所述上敏感层、第一导电层、下敏感层、第二导电层形成敏感层。