[发明专利]阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括步骤：

提供基板；

形成设置在所述基板的一侧的薄膜晶体管；

形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦层；

形成覆盖所述平坦层的光阻层；

提供光罩，所述光罩上设置有对应于所述平坦层周边区域的若干条凹槽图案，所述凹槽图案包括条状结构和多个凸起结构，所述条状结构用于在所述平坦层上形成凹槽，所述条状结构包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述凸起结构用于优化所述凹槽的坡角，所述凸起结构包括相对设置的第一平面和第二平面，所述第一平面贴合所述第一侧面和所述第二侧面设置，所述凸起结构的宽度自所述第一平面向所述第二平面逐渐减小；

利用所述光罩对所述平坦层进行曝光，以在所述平坦层的周边区域形成坡角在预设角度范围的凹槽。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述凸起结构包括多个矩形图案，且所述矩形图案的宽度自所述第一平面向所述第二平面逐渐变减小。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述凸起结构包括一个或多个梯形图案，所述梯形图案的尺寸较长的底边自所述第一平面向所述第二平面逐渐减小。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述凸起结构包括矩形图案和梯形图案的叠加，所述矩形图案设置在所述第一侧面和所述第二侧面上，所述梯形图案设置在所述矩形图案远离所述条状结构的表面，且所述梯形图案的尺寸较长的底边自所述第一平面向所述第二平面逐渐减小。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述凸起结构包括一个或多个弧形图案，所述弧形图案包括第一边、第二边、第一弧边及第二弧边，所述第一边与所述第二边相对设置，且所述第一边的长度大于所述第二边的长度，所述第一弧边与所述第二弧边相对设置，且所述第一弧边与所述第一边及所述第二边分别相交，所述第二弧边与所述第一边及所述第二边分别相交，所述弧形图案的第一边自所述第一平面向所述第二平面逐渐减小。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

所述凸起结构包括矩形图案和弧形图案的叠加，所述矩形图案设置在所述第一侧面和所述第二侧面上，所述弧形图案设置在所述矩形图案远离所述条状结构的表面，所述弧形图案包括第一边、第二边、第一弧边及第二弧边，所述第一边与所述第二边相对设置，且所述第一边的长度大于所述第二边的长度，所述第一弧边与所述第二弧边相对设置，且所述第一弧边与所述第一边及所述第二边分别相交，所述第二弧边与所述第一边及所述第二边分别相交，所述弧形图案的第一边自所述第一平面向所述第二平面逐渐减小。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤“提供基板”与所述步骤“形成设置在所述基板的一侧的薄膜晶体管”之间，所述阵列基板的制作方法还包括：

在所述基板的表面上形成缓冲层；

所述步骤“形成设置在所述基板的一侧的薄膜晶体管”包括：在所述缓冲层上形成所述薄膜晶体管。

8.权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述凹槽的坡角的预设角度范围介于30度到40度之间。

9.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，当所述光阻层为正型有机光阻材料时，所述光罩上的凹槽图案为透明区，其它区域为不透明区。

10.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，当所述光阻层为负型有机光阻材料时，所述光罩上的凹槽图案为不透明区，其它区域为透明区。