[发明专利]介电组合物和包含介电组合物的多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

陶瓷主体，包括介电层以及设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及

第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上，

其中，所述介电层包含具有核-壳结构的钛酸钡基晶粒，所述核-壳结构包括核和围绕所述核的壳，所述壳具有钛被具有与所述钛酸钡基晶粒中的所述钛的氧化数相同的氧化数并具有与所述钛酸钡基晶粒中的所述钛的离子半径不同的离子半径的元素部分地取代的结构，并且所述壳覆盖所述核的表面的至少30％，

其中，所述壳由Ba(Ti_1-xM_x)O₃表示，其中，M是Sn、Zr和Hf中的至少一种，并且

其中，所述核由BaTiO₃形成并包括Sn、Zr和Hf中的至少一种，所述核中的Sn、Zr和Hf中的至少一种与所述壳中的M的含量比为1/10或更大。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，Ba与Ti的摩尔比为1.0150或更大。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，在所述介电层中，包含所述壳在烧结之前覆盖所述核的所述表面的至少50％的介电晶粒。

4.根据权利要求3所述的多层陶瓷电容器，其中，在所述介电层中，所述壳在烧结之前覆盖所述核的所述表面的至少50％并在烧结之后覆盖所述核的所述表面的至少30％的介电晶粒的数量在介电晶粒的总数的35％至85％的范围内。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述壳具有在2nm至50nm的范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述核由BaTiO₃形成并包括Sn、Zr和Hf中的至少一种，所述核中的Sn、Zr和Hf中的至少一种与所述壳中的M的含量比在烧结之前为1/5或更大，在烧结之后为1/10或更大。

7.一种介电组合物，包括：钛酸钡基粉末颗粒，所述钛酸钡基粉末颗粒具有核-壳结构，所述核-壳结构包括核和围绕所述核的壳，其中，所述壳具有钛被具有与钛的氧化数相同的氧化数并具有与钛的离子半径不同的离子半径的元素部分地取代的结构，并且所述壳包含Sn、Zr和Hf中的至少一种，并且其中，所述核由BaTiO₃形成并包括Sn、Zr和Hf中的至少一种，所述核中的Sn、Zr和Hf中的至少一种与所述壳中的Sn、Zr和Hf中的所述至少一种的含量比为1/5或更大。

8.根据权利要求7所述的介电组合物，其中，Sn、Zr和Hf中的至少一种涂覆或掺杂在所述核上。

9.根据权利要求7所述的介电组合物，其中，所述壳的厚度在所述钛酸钡基粉末颗粒的半径的2％至30％的范围内。

10.根据权利要求7所述的介电组合物，其中，所述壳覆盖所述核的表面的至少50％。

11.根据权利要求7所述的介电组合物，所述介电组合物还包括：

基于100at％的所述钛酸钡基粉末颗粒，含量在0.2at％至2.0at％的范围内的包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一种的氧化物或碳酸盐；

基于100at％的所述钛酸钡基粉末颗粒，含量在0.0at％至3.0at％内的包含钡和钙中的至少一种的氧化物或碳酸盐；

基于100at％的所述钛酸钡基粉末颗粒，含量在0.2at％至5.0at％内的包含Si的氧化物或碳酸盐或者包含Si的玻璃化合物；

基于100at％的所述钛酸钡基粉末颗粒，含量在0.0at％至4.0at％内的包含Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Tb、Yb和Pr中的至少一种的氧化物或碳酸盐；以及

基于100at％的所述钛酸钡基粉末颗粒，含量在0.0at％至2.0at％内的包含Mg或Al的氧化物或碳酸盐。