[发明专利]一种背照式图形传感器的制造方法

权利要求书

1.一种背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供一具有像元芯片的硅片，对所述像元芯片背面进行硅片减薄处理；

步骤S02：在减薄后的像元芯片背面表面依次沉积抗反射介质层和第一保护层；

步骤S03：在第一保护层上形成不同颜色的滤色薄膜；其中，各所述滤色薄膜之间具有相连通的间隙,所述间隙成为自对准的金属格栅区域；

步骤S04：在滤色薄膜表面保形地沉积第二保护层；

步骤S05：沿间隙位置定义出连通的深沟槽区域,所述间隙的尺寸大于深沟槽的尺寸；

步骤S06：刻蚀形成深沟槽；

步骤S07：对深沟槽先后沉积介质阻挡层、金属阻挡层，并填充金属，通过形成填充金属后的深沟槽，以同步形成自对准的金属格栅；

步骤S08：对器件表面多余的金属进行CMP抛光，所述CMP抛光停止在所述滤色薄膜表面的第二保护层上，并沉积介质覆盖层。

2.根据权利要求1所述的背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，步骤S01中，首先，采用背面机械抛光方法对硅片进行减薄，包括先采用金刚刀进行快速背面抛光，再采用CMP工艺进行精细抛光；其次，采用湿法刻蚀工艺对硅片继续进行减薄。

3.根据权利要求1所述的背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，步骤S02中，在沉积抗反射介质层前，先沉积一层第三保护层。

4.根据权利要求1所述的背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，所述第二保护层材料为无机介质材料。

5.根据权利要求1所述的背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，步骤S05中，先通过旋涂光刻胶，将各滤色薄膜之间的间隙填满，并获得平坦的光刻胶覆盖层，然后，再通过光刻在光刻胶覆盖层上定义出深沟槽区域。

6.根据权利要求1所述的背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，步骤S05中，先通过旋涂有机物，将各滤色薄膜之间的间隙填满，再通过反刻蚀去除表面的部分有机物，并进一步旋涂形成平坦的光刻胶覆盖层，然后，通过光刻在光刻胶覆盖层上定义出深沟槽区域。

7.根据权利要求1所述的背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，步骤S08中，所述CMP抛光工艺停止在第二保护层，不使滤色薄膜暴露出来。

8.根据权利要求1所述的背照式图形传感器的制造方法，其特征在于，所述滤色薄膜为混有颜料的光刻胶，所述第二保护层、介质阻挡层以及介质覆盖层的沉积工艺温度为200℃以下。