[发明专利]半导体存储装置及其读出方法有效
申请号: | 201711019110.2 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN108022623B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 小嶋英充 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/26 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 读出 方法 | ||
1.一种半导体存储装置,其特征在于包括:
存储胞元阵列;
行选择部件,选择所述存储胞元阵列的行;
保持部件,保持由所述行选择部件所选择的数据;
选择部件,基于列地址,从由所述保持部件所保持的数据中选择n位数据;以及
n位的数据总线,连接于所述选择部件,
所述选择部件进而基于所述列地址,将n/2位的偶数地址的数据连接至所述数据总线的下位,且将n/2位的奇数地址的数据连接至所述数据总线的上位,
所述选择部件进而在开始地址为奇数地址的情况下,选择将所述奇数地址的数据连接至所述数据总线的上位与将所述奇数地址的下个偶数地址的数据连接至所述数据总线的下位。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,
半导体存储装置还包括:
输出部件,能够交替地输出所述偶数地址的数据与所述奇数地址的数据,
所述输出部件是与时钟信号同步地从外部端子串行输出所述偶数地址的数据及所述奇数地址的数据。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,
所述选择部件包含从所述列地址生成的行选择信号与从所述列地址生成的列选择信号,n/2位的所述偶数地址的数据及n/2位的所述奇数地址的数据是基于所述行选择信号与所述列选择信号而连接至所述数据总线的下位及上位。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置,其特征在于,
所述选择部件包含与偶数的所述列选择信号对应的第1行选择信号和与奇数的所述列选择信号对应的第2行选择信号,响应所述列选择信号的进位而通过所述第1行选择信号或所述第2行选择信号来选择行。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其特征在于,
所述保持部件是保持从所述存储胞元阵列的选择页面读出的数据、或者要对所述存储胞元阵列的选择页面进行编程的数据的页面缓冲器。
6.根据权利要求5所述的半导体存储装置,其特征在于,
所述数据总线的位宽少于所述页面缓冲器所保持的位数,进行数据输入与输出的外部端子的数量少于所述数据总线的位宽。
7.一种半导体存储装置的读出方法,所述半导体存储装置包括:存储胞元阵列;行选择部件,选择所述存储胞元阵列的行;保持部件,保持由所述行选择部件所选择的数据;选择部件,基于列地址,从由所述保持部件所保持的数据中选择n位数据;以及n位的数据总线,连接于所述选择部件,所述读出方法的特征在于,
在开始地址为奇数地址的情况下,基于所述列地址,由所述选择部件将所述奇数地址的数据连接至所述数据总线的上位与将所述奇数地址的下个偶数地址的数据连接至所述数据总线的下位,
在输出连接于所述数据总线的所述奇数地址的数据之后,输出所述偶数地址的数据。
8.根据权利要求7所述的读出方法,其特征在于,
在所述开始地址为偶数地址的情况下,由所述选择部件将所述偶数地址的数据与所述偶数地址的下个奇数地址的数据连接至所述数据总线,
在输出连接于所述数据总线的所述偶数地址的数据之后,输出所述奇数地址的数据。
9.根据权利要求7或8所述的读出方法,其特征在于,
所述奇数地址及所述偶数地址的数据是与串行时钟信号同步地从外部端子串行输出。
10.根据权利要求7或8所述的读出方法,其特征在于,
将n/2位的所述偶数地址的数据连接至所述数据总线的下位,将n/2位的所述奇数地址的数据连接至所述数据总线的上位。
11.一种半导体存储装置的读出方法,所述半导体存储装置包括:存储胞元阵列;行选择部件,选择所述存储胞元阵列的行;保持部件,保持由所述行选择部件所选择的数据;选择部件,基于列地址,从由所述保持部件所保持的数据中选择n位数据;以及n位的数据总线,连接于所述选择部件,所述读出方法的特征在于,
在开始地址为n位的所述数据总线的先头地址以外的情况下,选择将所述先头地址以外的一个或多个数据连接至所述数据总线的上位与将进位后的地址的数据连接至所述数据总线的下位。
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