[发明专利]共晶式异方性导电膜及制作方法

权利要求书

1.一种共晶式异方性导电膜，其特征在于，用以藉一共晶方式而结合位于该共晶式异方性导电膜的一上表面的一上层本体以及位于该共晶式异方性导电膜的一下表面的一下层本体，包括：

一电气绝缘基材，具有电气绝缘性及可挠性；以及

多个共晶式导电球，分布于该电气绝缘基材中，且所述共晶式导电球占该共晶式异方性导电膜的重量比为0.1至25％，

其中每个该共晶式导电球包含一核体以及一合金披覆层，该合金披覆层是披覆在该核体的一外表面上，并具导电性，且是由一铜铟锡合金材料或一锡银铋合金材料构成，该铜铟锡合金材料包含铜、铟及锡，且该铜铟锡合金材料中的铜占该铜铟锡合金材料的1至5％莫耳比，该铜铟锡合金材料中的铟占该铜铟锡合金材料的5至10％莫耳比，而该铜铟锡合金材料中的锡占该铜铟锡合金材料的95至85％莫耳比，该锡银铋合金材料包含锡、银及铋，且该锡银铋合金材料中的锡占该锡银铋合金材料的30至70％莫耳比，该锡银铋合金材料中的银占该锡银铋合金材料的1至5％莫耳比，该锡银铋合金材料中的铋占该锡银铋合金材料的20至70％莫耳比，该合金披覆层的熔点为150至200℃之间，该核体的直径为2至50微米之间，该合金披覆层的直径为0.01至0.15微米之间。

2.根据权利要求1所述的共晶式异方性导电膜，其特征在于，该核体是由一金属材料或一树脂材料构成。

3.根据权利要求2所述的共晶式异方性导电膜，其特征在于，该金属材料包含镍，而该树脂材料包含环氧树脂或压克力树脂。

4.根据权利要求1所述的共晶式异方性导电膜，其特征在于，进一步包含一上部保护层及一下部保护层，其中该上部保护层具电气绝缘性，并覆盖该共晶式异方性导电膜的一上表面，而该下部保护层具电气绝缘性，并覆盖该共晶式异方性导电膜的一下表面。

5.一种共晶式异方性导电膜的制作方法，其特征在于，包括：

备制具有电气绝缘性的一电气绝缘基材；

备制多个共晶式导电球，且每个该共晶式导电球包含一核体以及一合金披覆层，该合金披覆层是披覆在该核体的一外表面上，该合金披覆层具导电性，且是由一铜铟锡合金材料或一锡银铋合金材料构成，该铜铟锡合金材料包含铜、铟及锡，且该铜铟锡合金材料中的铜占该铜铟锡合金材料的1至5％莫耳比，该铜铟锡合金材料中的铟占该铜铟锡合金材料的5至10％莫耳比，而该铜铟锡合金材料中的锡占该铜铟锡合金材料的95至85％莫耳比，该锡银铋合金材料包含锡、银及铋，且该锡银铋合金材料中的锡占该锡银铋合金材料的30至70％莫耳比，该锡银铋合金材料中的银占该锡银铋合金材料的1至5％莫耳比，该锡银铋合金材料中的铋占该锡银铋合金材料的20至70％莫耳比，该合金披覆层的熔点为150至200℃之间，该核体的直径为2至50微米之间，该合金披覆层的直径为0.01至0.15微米之间；

加入所述共晶式导电球至该电气绝缘基材以混合成一初步混合体，所述共晶式导电球占该初步混合体的重量比为0.1至25％；

利用一搅拌装置以搅拌该初步混合体以形成一均匀混合体，且所述共晶式导电球是分布在该电气绝缘基材中；

利用一刮刀装置将该均匀混合体在一基板上涂布成具一特定厚度的一薄膜体，且该特定厚度为1至500微米之间；以及

对该薄膜体进行一加热烘干处理以固化该薄膜体，并经冷却后形成一共晶式异方性导电膜，该加热烘干处理的加热烘干的温度为70-150℃之间，该加热烘干处理的处理时间为30秒至30分钟之间，

其中该共晶式异方性导电膜系用以设置于一上层本体及一下层本体之间，并在高于该合金披覆层的熔点的一加热处理下藉外力的加压以压合该上层本体、该共晶式异方性导电膜及该下层本体而以一共晶方式结合成一体，该加热处理的加热温度为高出该合金披覆层的熔点至少10-50℃之间，所述共晶式导电球是在该电气绝缘基材中顺着该外力的加压方向而相互靠近并接触，同时相互接触的相对应的该合金披覆层是在该加热处理下藉该共晶方式而结合，而且与该上层本体及该下层本体接触的所述共晶式导电球相对应的该合金披覆层在该加热处理下藉该共晶方式而结合，该上层本体是经由该共晶式异方性导电膜而电气连接至该下层本体。