[发明专利]一种显示面板和显示装置有效
申请号: | 201711017986.3 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107799538B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 冷传利;何水;姜文鑫 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的第一膜层,所述第一膜层具有开口,所述开口包括底表面和侧壁,所述第一膜层远离所述衬底基板一侧的上表面、所述侧壁和所述底表面构成台阶;
设置于所述第一膜层上表面和所述开口内的第一金属线,所述第一金属线在所述台阶处断开,其中,位于所述第一膜层上表面的所述第一金属线为第一走线,位于所述开口内的所述第一金属线为第二走线,所述第二走线与所述台阶不交叠;
跨桥金属线,所述跨桥金属线的第一端与所述第一走线之间具有绝缘层,且所述第一端与所述第一走线通过贯穿所述绝缘层上的过孔电连接,所述跨桥金属线的第二端与所述第二走线电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
依次设置于所述衬底基板上的无机缓冲层和薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极层和源漏金属层,设置于所述栅极层和所述半导体层之间的栅极绝缘层,设置于所述栅极层和所述源漏金属层之间的层间绝缘层;
所述第一膜层包括所述无机缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层中的至少一层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属线与所述源漏金属层同层设置,且材料相同。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述绝缘层位于所述第一金属走线远离所述衬底基板的一侧;
所述第二端与所述第二走线通过贯穿所述绝缘层上的过孔电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:
设置于所述源漏金属层远离所述衬底基板一侧的钝化层;
设置于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的平坦化层;
所述绝缘层为所述平坦化层。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
设置于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的触控金属层,所述触控金属层多个触摸电极和/或触摸信号线;
所述跨桥金属线与所述触控金属层同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:设置于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的有机发光层,覆盖所述有机发光层的封装层,所述触控金属层设置于所述封装层远离所述衬底基板的一侧。
8.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述绝缘层为所述第一膜层;
所述跨桥金属线位于所述绝缘层靠近所述衬底基板的一侧。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
所述第一膜层包括所述无机缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层,所述开口的底表面为所述衬底基板的表面;
所述跨桥金属线和所述第二走线直接设置于所述衬底基板朝向所述第一膜层的表面。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,
所述第一膜层包括所述层间绝缘层,所述跨桥金属线与所述栅极层同层设置。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,
所述开口的底表面为所述衬底基板的表面,所述第二走线直接设置于所述衬底基板朝向所述第一膜层的表面。
12.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底基板为柔性基板,所述柔性基板的材料包括聚酰亚胺。
13.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域,所述开口位于所述非显示区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司,未经上海天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711017986.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的