[发明专利]一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法

说明书

本发明公开了一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法，包括以下步骤：1)在陶瓷电路板上采用一次或多次用旋涂或喷涂的方法涂覆非光敏的介质材料胶液并烘烤以使大部分溶剂挥发甚至部分固化2)用压印模板压印并进一步烘烤；压印模板采用透明的玻璃做基板，模板的压印面上溅射一层铬金金属层；压印模板上采用SU‑8胶柱做压印头，SU‑8胶柱的高度高出所涂覆的介质层厚度20μm～60μm，3)脱模并彻底固化；4)等离子体整体刻蚀；5)制作介质层上底层薄膜电路；6)重复上述步骤1～5制作其余各层薄膜电路。该方法无需昂贵的光敏介质材料，也无需额外制作刻蚀掩膜，比现有工艺技术减少了工步，整体工艺过程简洁。

技术领域

本发明涉及一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法。

背景技术

随着智能终端、武器装备等向信息化、多功能化发展，有限的空间内需要集成的电子功能模块越来越多，由此发展了MCM(Multi Chip Model)多芯片模块、SIP(System InPackage)系统级封装等高密度封装方法。这些高密封装方法均以高密度封装基板做支撑，如共烧陶瓷封装基板、薄膜多层封装基板、共烧陶瓷-薄膜多层混合封装基板等等。

薄膜多层封装基板导线精密，布线密度高，信号延迟小，高频性能凸出，常以PI(聚酰亚胺)、BCB(苯并环丁烯)、LCP(液晶聚合物)等作为介质材料，以溅射/蒸发/电镀结合光刻形成金属导线，以介质层上互连孔实现层间互连。制作出高质量的层间互连孔是薄膜多层封装基板的技术难点之一。

目前，制作薄膜多层封装基板主要有两种方法：一是采用非光敏PI/BCB/LCP做介质层材料，介质固化后用等离子体刻蚀或激光打孔辅以等离子体去灰的方法制作层间互连孔。等离子刻蚀方法需要额外制作刻蚀掩膜，且刻蚀速度慢，特别是对于需要数十微米至数百微米厚的介质层时，效率很低，且容易出现钻蚀现象，进而影响互连孔质量。激光打孔辅以等离子体去灰的方法处理薄介质层时简便有效，但处理厚的介质层时，孔壁容易形成难以去除的结痂，影响后续孔壁金属化的附着力。而且对BCB介质材料来说，由于其吸收峰波长在270nm左右，350nm波长以上吸收极弱，因此不适合用市场上常用的可见、红外激光设备打孔。

另外一种制作薄膜多层封装基板的方法是采用光敏的PI/BCB/LCP做介质层材料，这种介质材料可当成光刻胶用，曝光显影固化后即得互连孔。这种方法工艺简便，效率高，对十微米以下的薄介质非常实用，但面对数十微米至数百微米的厚介质层时，曝光难以一次爆透，工艺窗口窄，孔壁质量不易控制，影响后续孔壁金属化的可靠性。同时光敏介质材料比非光敏介质材料贵得多，对批量生产来说附加了不少成本压力。

综上可见，薄膜多层封装基板不管采用光敏介质还是非光敏介质，对薄介质层来说现有工艺方法均能较好实现，但对数十微米至数百微米的厚介质层来说均面临各自的不足。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：一种厚介质层薄膜多层封装基板制作方法，包括以下步骤：1)在陶瓷电路板上采用一次或多次用旋涂或喷涂的方法涂覆非光敏的介质材料胶液并烘烤以使大部分溶剂挥发甚至部分固化；2)用压印模板压印并进一步烘烤；压印模板采用透明的玻璃做基板，模板的压印面上溅射一层铬金金属层；压印模板上采用SU-8胶柱做压印头，SU-8胶柱的高度高出所涂覆的介质层厚度20μm～60μm，3)脱模并彻底固化；4)等离子体整体刻蚀；5)制作介质层上底层薄膜电路；6)重复上述步骤1～5制作其余各层薄膜电路。

作为一种优选的方案，所述的陶瓷电路板为氧化铝薄膜电路板、氧化铍薄膜电路板、氮化铝薄膜电路板、或平整的多层共烧陶瓷电路板，陶瓷电路板上制作有对准标记。

作为一种优选的方案，所述的模板的铬金层上开有透明窗口，模板上在透明窗口中间制作有对准标记。

作为一种优选的方案，脱模时将压印模板沿基板垂直方向拨出。