[发明专利]LED倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法在审
| 申请号： | 201711017377.8 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107863423A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 华斌;张秀敏;闫晓密;黄慧诗 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,屠志力 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 倒装 芯片 蓝宝石 光面 图形 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，以正常倒装芯片工艺完成LED芯片前道工序制作，直至蓝宝石衬底减薄抛光工艺完成，从上至下结构包括：减薄后的蓝宝石衬底(1)、GaN外延层(2)、倒装芯片的电极(3)；
步骤S2，在蓝宝石衬底(1)背面表面涂覆光刻胶(4)，通过激光直写曝光(5)完成光刻工艺；
步骤S3，曝光显影后在蓝宝石衬底(1)背面表面形成预设的光刻胶图形(6)，再以ICP干法刻蚀工艺(7)对蓝宝石衬底(1)背面表面进行刻蚀；
步骤S4，将残留光刻胶去除后，在蓝宝石衬底(1)背面表面形成图形(8)。
2.如权利要求1所述的LED倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法，其特征在于，
步骤S4之后，还包括：
步骤S5，对芯片进行切割分离。
3.如权利要求2所述的LED倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法，其特征在于，
步骤S4中，将残留光刻胶去除后，在蓝宝石衬底(1)背面表面形成图形(8)，还包括平整的未图形化区域(9)，用作后续激光隐形切割道；
步骤S5，以隐形切割激光聚焦于蓝宝石衬底隐形切割道内部对芯片进行切割分离。
4.如权利要求1、2或3所述的LED倒装芯片蓝宝石出光面图形化的制作方法，其特征在于，
步骤S4中，在蓝宝石衬底(1)上形成微米级或亚微米级的图形(8)。
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