[发明专利]封装结构及其制造方法

说明书

本揭露提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括管芯、重布线结构、集成扇出型穿孔以及第一连接件。重布线结构与管芯连接且包括多条重布线。集成扇出型穿孔位于管芯侧边且穿过重布线结构。第一连接件与集成扇出型穿孔电性接触，且与管芯电性连接。集成扇出型穿孔与重布线层结构的重布线电性接触。

技术领域

本揭露实施例涉及一种封装结构。

背景技术

随着各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度持续地增加，半导体行业经历了快速成长。在很大程度上，集成密度的增加来自于最小特征尺寸(minimum feature size)的不断减小，以允许更多较小的组件能够集成到给定区域中。这些较小的电子元件需要比以往的封装更小的较小封装。半导体元件的一些较小型的封装包括四面扁平封装(quad flat package，QFP)、引脚阵列(pin grid array，PGA)封装、球阵列(ball grid array，BGA)封装等等。

当前，集成扇出型封装因其紧密度而趋于热门。

发明内容

在本发明的一些实施例中，一种封装结构包括管芯、重布线结构、集成扇出型穿孔及第一连接件。重布线结构与管芯连接且包括多个重布线。集成扇出型穿孔位于管芯侧边且穿过重布线层结构。第一连接件与集成扇出型穿孔电性接触，且与管芯电性连接。集成扇出型穿孔与重布线层结构的重布线层电性接触。

在本发明的另一些实施例中，一种封装结构包括管芯、重布线结构、集成扇出型穿孔以及连接件。重布线结构与管芯连接。集成扇出型穿孔位于管芯侧边且穿过重布线结构。连接件与集成扇出型穿孔电性接触，且与管芯电性连接。

在本发明的一些实施例中，一种制造封装结构的方法包括：在第一介电层上形成重布线结构；将管芯贴附于重布线结构上。在管芯侧边形成集成扇出型穿孔。集成扇出型穿孔穿过重布线结构。形成连接件，与集成扇出型穿孔电性接触。

附图说明

图1A至图1L是说明根据本揭露第一实施例的形成封装结构的方法的示意性剖视图。

图2A至图2C是说明根据本揭露第二实施例的形成封装结构的方法的示意性剖视图。

图3A至图3F是说明根据本揭露一些实施例的形成封装结构的方法的示意性剖视图。

附图标号说明：

10：载板

11：离型层

12：介电层

13、13a、13b、22、22a、22b、38、38a、122、122a、122b：晶种层

14、23、39：图案化的掩模层

15、41、62：导电层

16、25、37、40、45a、45b、145a：开口

17：重布线层

17a、17b、117a：重布线

18、18’、118：间隙

19：介电层/第二介电层

19b、24：顶表面

20、120：凹槽

20a：第一凹槽

20b：第二凹槽

21、44、144：重布线结构

26、126：导电柱

27、127：集成扇出型穿孔

27a：第一嵌入部