[发明专利]一种光侦测装置和光侦测器件

权利要求书

1.一种光侦测装置，其特征在于，所述装置自上而下包括显示单元、光侦测器件、主电路板；所述显示单元的上方还设置有触摸屏或盖板玻璃；所述显示单元为以有源阵列薄膜晶体管作为扫描驱动与传输数据的显示屏，所述显示屏包括AMOLED显示屏或微发光二极管显示屏，显示屏的透光率大于3%；所述显示单元的下端面与光侦测器件的上端面通过低折射率胶粘合，所述低折射率胶的折射率低于所述显示单元的折射率；所述光侦测器件与主电路板通过软性电路板进行连接，所述软性电路板包括具有影像信号读取识别功能的芯片；所述光侦测器件包括多个像素侦测区，每一像素侦测区对应设置一个以上薄膜电晶管所组成一组扫描驱动与传输数据的像素薄膜电路、以及一光侦测薄膜；所述光侦测薄膜包括光敏二极管或光敏电晶管；

所述显示单元上设置有光侦测感应区，所述光侦测感应区包括至少两个光侦测感应子区域，每一光侦测感应子区域的下方对应设置一个光侦测器件；

所述装置还包括侦测控制电路，所述侦测控制电路用于在接收启动信号时，控制所述至少两个光侦测感应子区域中的其中一个光侦测感应子区域下方的光侦测器件开启，以及用于在接收到关闭信号时，控制所述至少两个光侦测感应子区域中的另一个光侦测感应子区域下方的光侦测器件光侦测器件关闭。

2.如权利要求1所述的光侦测装置，其特征在于，所述光侦测薄膜包括光敏二极管感应区，所述光敏二极管感应区设置有光敏二极管层，所述光敏二极管层包括p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层，p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层自上而下堆叠设置，所述i型半导体层为微晶硅结构或非结晶硅化锗结构。

3.如权利要求2所述的光侦测装置，其特征在于，所述微晶硅结构为硅烷与氢气通过化学气相沉积成膜的半导体层，微晶硅的结构的结晶度大于40%，且其禁带宽度小于1.7 eV。

4.如权利要求2所述的光侦测装置，其特征在于，所述非结晶硅化锗结构为硅烷、氢气与锗烷通过化学气相沉积成膜的非结晶半导体层，且其禁带宽度小于1.7 eV。

5.如权利要求2所述的光侦测装置，其特征在于，所述p型半导体层的上端面设置有第一光学器件，所述第一光学器件用于降低光线在p型半导体层的上端面的反射率、或是减小光线在p型半导体层的折射角度以增加光入射量。

6.如权利要求2所述的光侦测装置，其特征在于，所述n型半导体层的下端面还设置有第二光学器件，所述第二光学器件用于提高光线在n型半导体层的下端面的反射率。

7.如权利要求1所述的光侦测装置，其特征在于，所述光侦测薄膜包括光敏电晶管感应区，所述光敏电晶管感应区设置有光敏薄膜晶体管，所述光敏薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、绝缘层、光吸收半导体层；所述光敏薄膜晶体管为倒立共平面式结构，所述倒立共平面式结构包括：所述栅极、绝缘层、源极纵向自下而上设置，所述漏极与所述源极横向共面设置；绝缘层包裹所述栅极，以使得栅极与源极、栅极与漏极之间均不接触；源极和漏极之间间隙配合，源极和漏极横向之间形成光敏漏电流通道，所述光吸收半导体层设置于光敏漏电流通道内。

8.如权利要求7所述的光侦测装置，其特征在于，所述源极和漏极的数量均为多个，源极和源极之间相互并联，漏极和漏极之间相互并联；所述源极和漏极之间间隙配合，源极和漏极横向之间形成光敏漏电流通道包括：相邻的源极之间形成第一间隙，一个漏极置于所述第一间隙内，相邻的漏极之间形成第二间隙，一个源极置于所述第二间隙内，源极和漏极之间交错设置且间隙配合。

9.一种光侦测器件，其特征在于，所述光侦测器件为如权利要求1至8任一项所述的光侦测装置中的光侦测器件。