[发明专利]一种无水泡的低应力多晶硅薄膜制作方法

权利要求书

1.一种无水泡的低应力多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于：包括多晶硅薄膜应力控制过程和非晶硅薄膜退火成多晶硅薄膜过程；

所述多晶硅应力控制过程的步骤包括：

1）在基底上沉积200～1000nm厚的二氧化硅薄膜作为中间层；

2）使用RTP快速退火技术对二氧化硅薄膜进行退火，控制薄膜应力；

3）在上述退火之后的二氧化硅薄膜上沉积300～500nm非晶硅薄膜；

所述非晶硅薄膜退火成多晶硅薄膜过程的步骤包括：

1）在上述沉积的非晶硅薄膜上曝光、显影出多晶硅薄膜图案；

2）进行RIE刻蚀，在非晶硅薄膜上刻蚀出多晶硅薄膜结构；

3）刻蚀完成后进行退火处理，使非晶硅结晶成多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在退火进行应力控制时，退火温度为685℃，退火时间为25s，这样能够将整体应变控制在+/-2um，有利于在二氧化硅薄膜上非晶硅薄膜的沉积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在非晶硅退火形成多晶硅之前，先要将非晶硅薄膜刻蚀出想要的结构再进行退火，退火温度为685℃，退火时间为25s，可以在非晶硅薄膜结晶成为多晶硅薄膜的前提下将多晶硅薄膜的应力控制在100MPa附近。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用先刻蚀出薄膜结构再进行退火的方法可以避免在退火过程即非晶硅结晶成多晶硅的过程中产生水泡而导致多晶硅薄膜破裂。