[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板有效
申请号: | 201711014395.0 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107728392B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 江亮亮;郭磊;戴珂 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 液晶显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板,属于显示技术领域,其可解决现有的液晶显示面板容易出现闪烁的问题。本发明的阵列基板的第一电极与第二电极相互绝缘,在第一电极与第二电极之间设置由负热膨胀材料构成的膜厚调控层,膜厚调控层。当该阵列基板通电工作时,膜厚调控层受光照升高温度后收缩,降低第一电极与第二电极的间距,增大存储电容,从而使得馈入电压维持稳定,改善液晶面板的画面闪烁不良。本发明的阵列基板适用于各种显示装置,尤其适用于ADS模式的显示装置。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。
背景技术
现有薄膜晶体管液晶显示面板中,高级超维场开关(AdvancedSuperDimensionalSwitching;ADS)技术具有高穿透率、宽视角等优势,得到了快速发展。一般液晶显示面板在正常工作时,为防止液晶极化,像素电压的极性以公共电压Vcom为中心做正、负极性周期性交流变化。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题:当栅极Gate电压由开态高电平Vgh向关态低电平Vgl切换时,由于寄生电容的存在,导致最终施加到像素的数据线电压同初始电压发生偏移,即馈入电压(Feed-Through)ΔVp。由于ΔVp的存在,导致正、负极性像素电压整体向某一方向偏移,从而两者同公共电压的压差差值不对称,导致液晶显示面板出现比较严重的闪烁(Flicker)问题,不仅降低产品质量而且会导致人眼视觉疲劳甚至头晕现象。此外,随着液晶显示装置工作时间的增加,背光源的温度逐渐提升,导致液晶显示面板的闪烁现象越来越严重。
发明内容
本发明针对现有的液晶显示面板容易出现闪烁的问题,提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是:
一种阵列基板,包括第一电极、第二电极,所述第一电极与第二电极之间设有绝缘层,其中,所述绝缘层与第一电极之间还设有膜厚调控层,所述膜厚调控层由负热膨胀材料构成,用于调整第一电极与第二电极之间的距离。
优选的是,所述负热膨胀材料包括金属-陶瓷复合材料、三氟化钪晶体、锆钨酸盐中的任意一种或几种。
优选的是,所述绝缘层包括栅极绝缘层和钝化层,所述栅极绝缘层相较于所述钝化层更靠近第一电极。
优选的是,所述膜厚调控层设于栅极绝缘层与钝化层之间。
优选的是,所述膜厚调控层设于栅极绝缘层与第一电极之间。
优选的是,所述负热膨胀材料热膨胀系数范围为-27×10-6K-1~-5×10-6K-1。
优选的是,受热前所述第一电极与第二电极之间极之间的距离为H1,受热后所述第一电极与第二电极之间极之间的距离为H2,H1与H2的差值为1-10nm。
本发明还提供一种液晶显示面板,包括上述的阵列基板。
优选的是,液晶显示面板还包括彩膜基板,所述彩膜基板与所述阵列基板之间设有液晶,其中,栅极的高电平信号为Vgh,栅极的低电平信号为Vgl,液晶电容为Clc,像素存储电容为Cst,耦合电容为Cgs,馈入电压为△Vp,
并且,△Vp为定值。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:
形成第一电极;
采用负热膨胀材料形成膜厚调控层;
形成绝缘层;
形成第二电极。
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