[发明专利]晶圆的清洗方法在审
| 申请号： | 201711014211.0 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109712866A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 魏顺锋 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗 半导体器件 混合酸溶液 酸性混合液 纯水冲洗 弱碱 氢氟酸 硝酸 溶剂 良率 去除 脱胶 浸泡 保证 | ||
1.一种晶圆的清洗方法，依次包括以下步骤：
晶圆置于酸性混合液中进行脱胶；
该晶圆置于硝酸和氢氟酸的混合酸溶液中进行清洗；
该晶圆置于弱碱溶剂中浸泡；以及
用纯水冲洗该晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：晶圆脱胶之后、采用混合酸溶液清洗之前还包括：该晶圆置于纯水中采用超声波进行预清洗。
3.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：所述硝酸和所述氢氟酸的体积比为10:1-15:1。
4.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：所述硝酸的浓度为65％-68％，所述氢氟酸的浓度为38％-41％。
5.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：晶圆在所述硝酸和所述氢氟酸的混合酸溶液中的处理时间为50-60秒。
6.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：晶圆在所述弱碱溶剂中的浸泡时间为1-2小时。
7.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：所述弱碱溶剂为N-甲基吡咯烷酮溶剂。
8.如权利要求2所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：所述纯水的温度为70℃-85℃，所述纯水的电阻率大于16MΩ·cm。
9.如权利要求2所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：所述超声波的频率大于20kHz，预清洗的时间为10-20分钟。
10.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于：所述酸性混合液为柠檬酸、乳酸和纯水的混合液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
