[发明专利]一种自催化功能纳米量子线的制备方法有效
| 申请号： | 201711014016.8 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107790736B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 刘翠;赵金星;兰倩;曹元成 | 申请（专利权）人： | 江汉大学 |
| 主分类号： | B22F9/12 | 分类号： | B22F9/12;B22F1/00;H01L31/0304;H01L31/0352;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 42104 武汉开元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王虹 |
| 地址： | 430056 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子线 制备 生长 生长室 蒸发源 成核 活化 位点 红外光转换 功能纳米 合金液滴 杂质污染 纳米线 自催化 衬底 阀门 液滴 催化剂 半导体 | ||
1.一种自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，步骤为：
a.MBE设备中，在生长室Si衬底上加入In-Sb合金液滴200℃-380℃活化25min-120min产生成核位点，In-Sb合金液滴中Sb的质量百分数为1-5%，In-Sb合金液滴加入量为每1cm2Si衬底对应2-15mg In-Sb合金液滴，活化完成后生长室150℃-380℃下保温10-25min；
b.生长室150℃-380℃下保温，打开蒸发源In、As和Sb通向生长室的阀门并控制各束流等效分压比进行纳米线生长，生长20-120min后同时关闭所有蒸发源百叶窗，得到InAsSb纳米量子线。
2.如权利要求1所述的自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，所述步骤a中In-Sb合金液滴由液态In在-5℃-10℃下溶解Sb得到。
3.如权利要求2所述的自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，所述In-Sb合金液滴由液态In在0℃下溶解Sb得到。
4.如权利要求1所述的自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，步骤b中控制Sb束流等效分压比为2.5%-27.5%、In束流等效分压比为1-19%、As束流等效分压比为70-94%，其中Sb、In、As束流等效分压比之和为100%。
5.如权利要求4所述的自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，步骤b中控制Sb束流等效分压比为10%-20%、In束流等效分压比为3-15%、As束流等效分压比为75-85%，其中Sb、In、As束流等效分压比之和为100%。
6.如权利要求4或5所述的自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，步骤b中控制Sb束流等效分压比为16%、控制In束流等效分压比为3%，控制Sb束流等效分压比为81%。
7.如权利要求1所述的自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，步骤b中生长室的总压力为0.05-0.5MPa，生长时间30min。
8.如权利要求4所述的自催化功能纳米量子线的制备方法，其特征在于，步骤b中生长室的总压力为0.05-0.5MPa。
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