[发明专利]一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法

权利要求书

1.一种扩散制结晶体硅太阳电池用的等离子刻边方法，其特征是在扩散源层沉积后、扩散工艺进行前采用等离子刻蚀的方法对硅片边缘进行刻蚀；技术流程为：先将做好预处理的硅片的一面或者两面沉积含有掺杂原子的扩散源薄膜层；再将需要刻边的硅片叠放在一起用等离子刻蚀机进行刻边；然后将刻边结束的硅片放入扩散炉中进行扩散，再进行后继工序。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述扩散源薄膜层为重掺杂的非晶硅薄膜或微晶硅薄膜，或者为重掺杂的氧化硅薄膜或氮化硅薄膜，或者为前述几种薄膜的复合膜层，或者为离子注入形成的重掺杂硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述扩散工艺采用的炉子为管式高温炉，扩散过程在洁净空气或氮氧混合气或氩氧混合气中进行。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是扩散工艺结束后，硅片用湿化学的方法去除硅片表面的氧化层和残留扩散源层。