[发明专利]一种复合陶瓷基微带隔离器

说明书

技术领域

本发明涉及一种复合陶瓷基微带隔离器。

背景技术

随着现代科学技术的发展，微波集成电路往集成度高、体积小、质量轻、工作频带宽等方向发展，这对其中的关键元件——微带隔离器提出了更高的要求。

现有主流的微带隔离器主要通过在全尺寸铁氧体表面制作微带电路及负载，由于铁氧体材料本身的特性限制，制作出来的微带隔离器工作频段较窄、且功率容量比较小，已经无法满足未来微波集成电路的发展需要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种高功率容量、宽工作频带、可靠性高、结构简单的复合陶瓷基微带隔离器。

为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：复合陶瓷基微带隔离器，包括基片、设置在基片上的微带电路及负载电阻，基片包括介质陶瓷基片，介质陶瓷基片上设有容置凹槽，容置凹槽设有铁氧体基片，铁氧体基片与介质陶瓷基片表面齐平，微带电路包括设置在铁氧体基片上的中心金属结，介质陶瓷基片上设有三根信号传输线，信号传输线通过金属化介质桥与中心金属结相连接，其中一根信号传输线与负载电阻相连接。

作为一种优选的方案，所述铁氧体基片烧结在介质陶瓷基片上凹槽中。

作为一种优选的方案，所述陶瓷基片为氮化铝陶瓷基片或是氧化铝陶瓷基片、或高阻硅陶瓷基片。

作为一种优选的方案，所述金属化介质桥为金属化聚酰亚胺或金属化氮化铝或金属化二氧化硅介质桥。

作为一种优选的方案，所述负载电阻为半圆形或矩形或扇形薄膜电阻。

作为一种优选的方案，所述微带电路通过真空镀膜、或电镀、或光刻、或蚀刻工艺制作于基片正面。

本发明的有益效果是：所述复合陶瓷基片采用中间铁氧体圆形基片烧结嵌入外环氮化铝介质陶瓷中，且微带电路圆形平面金属中心结主要制作于中间铁氧体圆形基片上，信号传输线主要制作于外环氮化铝介质陶瓷基片上的方式，该设计能够有效的增加整体器件工作频段带宽；

所述圆形平面金属中心结和三个信号传输线分别由三个金属化聚酰亚胺介质桥连接导通，相对于传统金丝键合的连接方式，极大的提高了可靠性，简化了后序封装操作；所述负载电阻制作于具有高导热系数的氮化铝基材上，相对于传统的全尺寸铁氧体结构器件，整体器件的功率容量得到了极大的提升。器件整体具有高功率容量、宽工作频带、可靠性高、结构简单等特点。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

图1中：1.介质陶瓷基片，2.铁氧体基片，3.信号传输线，4.中心金属结，5.金属化介质桥，6.负载电阻。

具体实施方式

下面结合附图，详细描述本发明的具体实施方案。

如图1所示，复合陶瓷基微带隔离器，包括基片、设置在基片上的微带电路及负载电阻6。所述负载电阻6为半圆形薄膜电阻。

基片包括氮化铝介质陶瓷基片1，氮化铝介质陶瓷基片1上设有容置凹槽，容置凹槽中设有铁氧体基片2，铁氧体基片2与氮化铝介质陶瓷基片1表面齐平，微带电路包括设置在铁氧体基片2上的中心金属结4，氮化铝介质陶瓷基片1上设有三根信号传输线3，信号传输线3通过金属化聚酰亚胺介质桥5与中心金属结4相连接。其中一根信号传输线3与负载电阻6相连接。

所述微带电路通过真空镀膜、或电镀、或光刻、或蚀刻工艺制作于基片正面。

上述的实施例仅例示性说明本发明创造的原理及其功效，以及部分运用的实施例，而非用于限制本发明；应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。