[发明专利]一种区熔气掺单晶硅的供气系统

说明书

本发明公开了一种区熔气掺单晶硅的供气系统，包括：供气装置、气体分流装置和管道清扫装置；其中，所述供气装置包括至少两个气瓶，每个所述气瓶中的气体浓度不同；所述气体分流装置中设置有与所述供气装置的所述气瓶对应的至少两个储气装置，用于对多台设备同时供应不同浓度的气体；所述管道清扫装置包括高纯氮气瓶和真空发生器，高纯氮气瓶通过供气管道分别连接至供气装置的各气瓶与储气装置的供气管道上，高纯氮气瓶另通过供气管道连接真空发生器，然后连接至供气装置的各气瓶与储气装置的供气管道上，用于为所述供气装置供应高纯氮气。采用本发明的供气系统，可在不更换气源的情况下，生产更宽电阻率范围的区熔单晶硅，提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及一种区熔气掺单晶硅的供气系统，属于硅单晶制备技术领域。

背景技术

区熔气掺单晶一般是通过向单晶中掺入少量杂质气体，获得不同电阻率范围和型号的产品。气掺单晶电阻率范围一般均在100Ω·CM以下，也有部分高于100Ω·CM的产品。一种气源浓度往往不能同时满足各个电阻率范围的要求，因此生产不同电阻率范围的单晶时需要更换相应的气源。一般每台设备均有一套单独供气系统，使用时需要经常根据生产要求更换气瓶，造成生产效率低下。如果更换过程掺杂气体泄漏，也会造成一定的安全隐患。

因此，有必要设计一套新的供气系统和方法，以便能够同时满足多台设备供气，满足不同电阻率范围的产品生产要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种区熔气掺单晶硅的供气系统，同时为多台设备供应不同浓度气源，用于生产更宽电阻率范围的区熔单晶硅，提高生产效率。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种区熔气掺单晶硅的供气系统，包括：供气装置、气体分流装置和管道清扫装置；其中，所述供气装置包括至少两个气瓶，每个所述气瓶中的气体浓度不同；所述气体分流装置中设置有与所述供气装置的所述气瓶对应的至少两个储气装置，用于对多台设备同时供应不同浓度的气体；所述管道清扫装置包括高纯氮气瓶和真空发生器，高纯氮气瓶通过供气管道分别连接至供气装置的各气瓶与储气装置的供气管道上，高纯氮气瓶另通过供气管道连接真空发生器，然后连接至供气装置的各气瓶与储气装置的供气管道上，用于为所述供气装置供应高纯氮气。

优选地，所述供气装置包括两个气瓶，其中，第一气瓶通过供气管道依次顺序连接第一减压阀、第一压力表、第一过滤器和第一隔膜阀开关；第二气瓶通过供气管道依次顺序连接第二减压阀、第二压力表、第二过滤器和第四隔膜阀开关；

所述气体分流装置包括两个储气管；第一储气管通过供气管道连接第二隔膜阀开关，第二隔膜阀开关通过供气管道经第三压力表连接设备A；第一储气管通过供气管道连接第三隔膜阀开关，第三隔膜阀开关通过供气管道经第四压力表连接设备B；第二储气管通过供气管道连接第五隔膜阀开关，第五隔膜阀开关通过供气管道经第三压力表连接设备A；第二储气管连接通过供气管道连接第六隔膜阀开关，第六隔膜阀开关通过供气管道经第四压力表连接设备B；

所述管道清扫装置包括第三气瓶和真空发生器；第三气瓶、第三减压阀、第五压力表、第七隔膜阀开关依次通过供气管道相互连接，再连接到供气装置的第二瓶和第二减压阀之间的供气管道；第三气瓶、第三减压阀、第五压力表、第八隔膜阀开关依次通过供气管道连接，再连接到供气装置的第一瓶和第一减压阀之间的供气管道；第三气瓶、第四减压阀、第六压力表、第十三隔膜阀开关依次通过供气管道连接至真空发生器；真空发生器、第七压力表、第九隔膜阀开关依次通过供气管道连接到供气装置的第一气瓶和第一减压阀之间的供气管道；真空发生器、第七压力表、第十隔膜阀开关依次通过供气管道连接到所述供气装置的第二气瓶和第二减压阀之间的供气管道；真空发生器、第七压力表、第十一隔膜阀开关依次通过供气管道连接到所述供气装置的第一减压阀和第一压力表之间的供气管道；真空发生器、第七压力表、第十二隔膜阀开关依次通过供气管道连接到所述供气装置第二减压阀和第二压力表之间的供气管道。