[发明专利]集多种开启方式的门锁结构

权利要求书

1.集多种开启方式的门锁结构，其特征在于，包括外壳、均设置在外壳上的滑盖式遮挡结构和门把手，所述外壳位于遮挡结构的遮挡区域设置有指纹采集识别模块、密码输入板和IC卡识别区域，所述指纹采集识别模块、密码输入板和IC卡识别区域均连接在控制板上，所述控制板包括控制器、驱动电路和驱动锁芯动作的驱动马达，所述控制器在指纹采集识别模块、密码输入板和IC卡识别中任两种方式均通过验证才驱动驱动电路工作。

2.根据权利要求1所述的集多种开启方式的门锁结构，其特征在于，所述指纹采集识别模块为滑感式真皮层指纹采集识别模块。

3.根据权利要求1所述的集多种开启方式的门锁结构，其特征在于，所述控制板上还设置有电源电路，所述电源电路包括市电供电电路和蓄电电路。

4.根据权利要求3所述的集多种开启方式的门锁结构，其特征在于，所述电源电路上设置有浪涌泄放电路。

5.根据权利要求4所述的集多种开启方式的门锁结构，其特征在于，所述浪涌泄放电路包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极连接在电源上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1且源极连接在场效应管MOS2的源极上；所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地；所述的场效应管MOS1的漏极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地；所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在二极管D1的阳极和二极管D2的阳极上，所述的二极管D1的阴极连接在电源上，所述的二极管D2的阴极接地，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T1为NPN型三极管。

6.根据权利要求1所述的集多种开启方式的门锁结构，其特征在于，所述外壳外表面设置有防静电层。