[发明专利]一种红黄光发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括依次层叠的P型电极、基板、金属反射层、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型反射层、N型欧姆接触层，N型电极，

所述N型反射层为超晶格结构，所述超晶格结构包括第一子层和第二子层，所述第一子层为(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P层，0.8≤x≤1，所述第一子层的厚度为50～60nm，所述第二子层为(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P层，0.4≤y≤0.6，所述第二子层的厚度为55～65nm，所述第一子层的折射率比所述第二子层的折射率小0.1～0.2；

所述N型电极、N型欧姆接触层和N型反射层在所述基板上的正投影重合，且所述N型电极、N型欧姆接触层和N型反射层在所述基板上的正投影小于所述N型电流扩展层在所述基板上的正投影。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N型反射层的周期为5～13。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述N型电流扩展层的靠近所述N型电极的一面上设有粗化区域，所述粗化区域位于所述N型电极在所述N型电流扩展层上的正投影之外。

4.一种红黄光发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型反射层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，所述N型反射层为超晶格结构，所述超晶格结构包括第一子层和第二子层，所述第一子层为(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P层，0.8≤x≤1，所述第一子层的厚度为50～60nm，所述第二子层为(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P层，0.4≤y≤0.6，所述第二子层的厚度为55～65nm，所述第一子层的折射率比所述第二子层的折射率小0.1～0.2；

在所述P型欧姆接触层上制作金属反射层；

将所述金属反射层粘合到基板上；

依次去除所述衬底、缓冲层和N型腐蚀停层；

在所述N型欧姆接触层上制作N型电极；

去除位于所述N型电极在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型欧姆接触层和所述N型反射层；

在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作P型电极。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述N型反射层的周期为5～13。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述去除位于所述N型电极在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型反射层，包括：

从所述N型粗化反射层远离所述基板的一侧面向靠近所述基板的方向进行粗化处理，且粗化深度大于所述N型粗化反射层的总厚度，以去除掉除位于所述N型电极在所述基板厚度方向上的投影之外的所述N型反射层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述从所述N型反射层远离所述基板的一侧面向靠近所述基板的方向进行粗化处理，包括：

在粗化液中进行多次粗化，以使所述粗化深度大于所述N型反射层的总厚度，且在所述多次粗化中，第一次粗化的时间最长。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一次粗化的时间为1～2min。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述粗化液由比例为5:1的磷酸和盐酸配置。

10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述粗化深度为1.0～1.6um。