[发明专利]一种降低NVMe固态硬盘写放大的方法在审
| 申请号： | 201711010315.4 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107908358A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 许毅;吴娴 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/0811 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所44298 | 代理人： | 董红海 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区蛇口街道蛇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 nvme 固态 硬盘 放大 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低NVMe固态硬盘写放大的方法,其特征在于固态硬盘根据访问频率信息的大小划分为2个以上的数据冷热区间，将落入相同数据冷热区间的数据写入相同的块；所述访问频率信息Access Frequency由主机统计并写入NVMe协议中LBA区间的访问频率信息Access Frequency字段，固态硬盘接收到主机写命令时读取每个命令中携带的访问频率信息Access Frequency字段获得。
2.根据权利要求1所述的降低NVMe固态硬盘写放大的方法,其特征在于设置一个冷热区间阀值，固态硬盘根据访问频率信息的大小划分为2个的数据冷热区间，访问频率信息大于等于冷热区间阀值时为热数据，访问频率信息小于等于冷热区间阀值时为冷数据。
3.根据权利要求1或2所述的降低NVMe固态硬盘写放大的方法,其特征在于还设有一个超高频访问阀值，固态硬盘接收到写命令时，当访问频率信息大于超高频访问阀值，则将写命令携带的数据写入固态硬盘的缓存中的超高频数据区，暂时不写入固态硬盘的FLASH存储空间中，固态硬盘单独设置一个更长的后台将超高频数据区的数据更新到FLASH存储空间中的时间周期。
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