[发明专利]扇出型天线封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种扇出型天线封装结构，其特征在于，所述扇出型天线封装结构包括：

半导体芯片；

塑封材料层，包括相对的第一表面及第二表面，所述塑封材料层塑封于所述半导体芯片的外围，且暴露出所述半导体芯片的正面；所述塑封材料层内形成有激光通孔，所述激光通孔上下贯通所述塑封材料层；

导电柱，填充于所述激光通孔内，且上下贯通所述塑封材料层；

天线结构，位于所述塑封材料层的第一表面上，且与所述导电柱电连接；

重新布线层，位于所述塑封材料层的第二表面上，且与所述半导体芯片及所述导电柱电连接；

焊料凸块，位于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面上，且与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述半导体芯片包括：

裸芯片；

接触焊垫，位于所述裸芯片上，并与所述裸芯片电连接；其中，所述接触焊垫所在的表面为所述半导体芯片的正面。

3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述导电柱截面的形状为倒梯形。

4.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述天线结构包括交替叠置的介质层及金属天线，且所述天线结构的顶层为金属天线，相邻所述金属天线之间及所述金属天线与所述导电柱之间均经由金属插塞电连接。

5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述天线结构包括一层金属天线。

6.根据权利要求4或5所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述金属天线的形状呈矩形螺旋状。

7.根据权利要求6所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述金属天线的数量为多个，多个所述金属天线沿所述介质层表面延伸的方向呈阵列排布。

8.根据权利要求1所述的扇出型天线封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：

绝缘层，位于所述塑封材料层的第二表面上；

至少一层金属线层，位于所述绝缘层内，且与所述半导体芯片及所述导电柱电连接；

凸块下金属层，位于所述绝缘层内及所述绝缘层远离所述塑封材料层的表面，且与所述金属线层及所述焊料凸块电连接。

9.一种扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，所述扇出型天线封装结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一载体，并于所述载体的上表面形成剥离层；

2)提供半导体芯片，将所述半导体芯片正朝下装设于所述剥离层的表面；

3)于所述剥离层的表面形成塑封材料层，所述塑封材料层将所述半导体芯片塑封；所述塑封材料层包括相对的第一表面及第二表面，所述塑封材料层的第二表面与所述剥离层相接触；

4)去除所述载体及所述剥离层；

5)于所述塑封材料层的第二表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述半导体芯片电连接；

6)采用激光打孔工艺于所述塑封材料层内形成激光通孔，所述激光通孔暴露出部分所述重新布线层；

7)于所述激光通孔内形成导电柱，所述导电柱与所述重新布线层电连接；

8)于所述塑封材料层的第一表面形成天线结构，所述天线结构与所述导电柱电连接；

9)于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面形成焊球凸块，所述焊球凸块与所述重新布线层电连接。

10.根据权利要求9所述的扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，步骤8)于所述塑封材料层的第一表面形成天线结构包括如下步骤：

8-1)于所述塑封材料层的第一表面形成第一层介质层；

8-2)于所述第一层介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述导电柱的上表面；

8-3)于所述第一开口内形成第一金属插塞，并于所述第一层介质层的上表面形成第一层金属天线，第一层所述金属天线经由所述第一金属插塞与所述导电柱电连接；

8-4)于上表面形成有第一层所述金属天线的所述第一介质层的上表面形成第二层介质层，所述第二层介质层完全覆盖覆盖第一层所述金属天线；

8-5)于所述第二层介质层内形成第二开口，所述第二开口暴露出部分第一层所述金属天线；

8-6)于所述第二开口内形成第二金属插塞，并于所述第二层介质层上形成第二层所述金属天线。