[发明专利]直拉单晶硅片的结构缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201711006240.2 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107749402B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 赵燕;刘尧平;陈伟;吴俊桃;陈全胜;王燕;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 结构 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种直拉单晶硅片的结构缺陷检测方法，包括：
对所述直拉单晶硅片进行金属催化刻蚀；
去除金属催化刻蚀后所述直拉单晶硅片表面上的金属；以及
根据所述直拉单晶硅片的外观确定是否存在结构缺陷区域。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在进行金属催化刻蚀之前，对所述直拉单晶硅片进行第一清洁处理；以及
在确定是否存在结构缺陷区域之前，对所述直拉单晶硅片进行第二清洁处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一清洁处理和所述第二清洁处理每个都包括超声清洗。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，进行金属催化刻蚀包括：
将所述直拉单晶硅片浸入含有铜离子、氟离子以及氧化剂的混合溶液中进行刻蚀。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述铜离子来自于氯化铜、硝酸铜或硫酸铜，所述氟离子来自于氢氟酸，所述氧化剂选自包括硝酸、双氧水和高锰酸钾的组。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述混合溶液中，所述铜离子的浓度为0.1-35mmol/L，所述氢氟酸的浓度为1-12mol/L，所述氧化剂的浓度为0.1-5mol/L。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述刻蚀的时间为5-30分钟，温度为40℃-80℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述直拉单晶硅片表面上的金属包括：
用酸溶液对所述直拉单晶硅片进行超声清洗。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，确定是否存在结构缺陷区域包括：
基于所述直拉单晶硅片的外观的均匀性来确定是否存在结构缺陷区域。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法在太阳能电池制造工艺的制绒阶段执行。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711006240.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：永磁电机用静音活动转子机构
- 下一篇：一种新型扩晶机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
