[发明专利]一种阵列基板的刻蚀方法有效
申请号: | 201711005865.7 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107833827B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 徐元权 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/77;B08B3/12;B08B3/08 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 刻蚀 方法 | ||
1.一种阵列基板的刻蚀方法,其特征在于,包括下述步骤:
通过超声波装置在刻蚀液中发生超声波,以在刻蚀液中产生气泡,得到包含有气泡的刻蚀液,利用包含有气泡的刻蚀液给待刻蚀的阵列基板进行刻蚀,所述待刻蚀的阵列基板包括依次层叠的承载基板、金属层以及光阻;当所述光阻的边缘没有翘起时,则提升所述超声波装置发生超声波的频率,以增加刻蚀液中产生气泡的数量和频率。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的刻蚀方法,其特征在于,通过超声波装置在刻蚀液中产生气泡,还包括下述步骤:
当所述光阻开始脱离所述金属层时,则降低所述超声波装置发生超声波的频率,以减小刻蚀液中产生气泡的数量和频率。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的刻蚀方法,其特征在于,通过超声波装置在刻蚀液中产生气泡,得到包含有气泡的刻蚀液,利用包含有气泡的刻蚀液给待刻蚀的阵列基板进行刻蚀,包括下述步骤:
往浸泡槽中填充刻蚀液;
将所述待刻蚀的阵列基板送入所述浸泡槽中,使得所述待刻蚀的阵列基板被刻蚀液浸泡;
采集所述待刻蚀的阵列基板的位置信息,当所述待刻蚀的阵列基板到达设定的位置时,控制设置在所述浸泡槽中的所述超声波装置在刻蚀液中按照设定的频率发生超声波,以在刻蚀液中产生气泡。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的刻蚀方法,其特征在于,通过超声波装置在刻蚀液中产生气泡,得到包含有气泡的刻蚀液,利用包含有气泡的刻蚀液给待刻蚀的阵列基板进行刻蚀,还包括下述步骤:
当所述待刻蚀的阵列基板离开设定的位置时,控制所述超声波装置停止发生超声波。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的刻蚀方法,其特征在于,通过超声波装置在刻蚀液中产生气泡,得到包含有气泡的刻蚀液,利用包含有气泡的刻蚀液给待刻蚀的阵列基板进行刻蚀,包括下述步骤:
在装有刻蚀液的容器中,利用超声波装置在刻蚀液中按照设定的频率发生超声波,以在刻蚀液中产生气泡;
将所述待刻蚀的阵列基板送入喷洒槽;
将包含有气泡的刻蚀液输送至喷洒槽上方的喷嘴,通过所述喷嘴对所述待刻蚀的阵列基板喷洒包含有气泡的刻蚀液,以对所述待刻蚀的阵列基板进行刻蚀。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的刻蚀方法,其特征在于,刻蚀液用于对所述金属层进行刻蚀,且刻蚀液包含硝酸、醋酸以及磷酸中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的刻蚀方法,其特征在于,还包括下述步骤:
在所述承载基板上形成所述金属层;
在所述金属层上形成所述光阻;
图形化所述光阻,得到所述待刻蚀的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造