[发明专利]带有直流电平漂移消除电路的可见光通信接收机专用芯片在审
| 申请号: | 201711004517.8 | 申请日: | 2017-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN107846194A | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
| 发明(设计)人: | 毛陆虹;韩东群 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/48;H03F3/04;H03F3/45;H04B10/116 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 杜文茹 |
| 地址: | 300192*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带有 直流 电平 漂移 消除 电路 可见 光通信 接收机 专用 芯片 | ||
1.一种带有直流电平漂移消除电路的可见光通信接收机专用芯片,其特征在于,包括有依次串联连接的:将经过光探测器得到的电流信号转化为电压信号并进行放大的低功耗跨阻抗放大器(1)、用于改善光接收机的整体带宽性能的后均衡电路(2)、用于将前级放大器输出的电压信号放大的三级限幅放大器(3)、双端转单端电路(4)以及用作信号判决的反向器(5),所述反向器(5)的输出端构成可见光通信接收机专用芯片输出端,还设置有起到反馈调节作用以稳定电路直流工作点的直流电平偏移消除电路(6),所述直流电平偏移消除电路(6)的输入端连接所述多级限幅放大器(3)的输出端,所述直流电平偏移消除电路(6)的输出端连接所述后均衡电路(2)的输入端。
2.根据权利要求1所述的带有直流电平漂移消除电路的可见光通信接收机专用芯片,其特征在于,所述的光探测器包括有连接在所述低功耗跨阻抗放大器(1)的正向输入端的第二光电二极管(D2),以及连接在所述低功耗跨阻抗放大器(1)的反向输入端的第一光电二极管(D1)。
3.根据权利要求1所述的带有直流电平漂移消除电路的可见光通信接收机专用芯片,其特征在于,所述的低功耗跨阻抗放大器(1)包括有:第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4),所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的漏极均连接VDD电源,所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的栅极各通过一个电阻(R1/R2)连接VDD电源,所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的源极分别构成输出端(Out1/Out2)连接所述后均衡电路(2)的输入端,所述第一MOS管(M1)的源极还分别连接所述第三MOS管(M3)的漏极以及第三电阻(R3)的一端,所述第三MOS管(M3)的源极接地,所述第三电阻(R3)的另一端与所述第三MOS管(M3)的栅极共同连接光探测器的输出端,所述第二MOS管(M2)的源极还分别连接所述第四MOS管(M4)的漏极以及第四电阻(R4)的一端,所述第四MOS管(M4)的源极接地,所述第四电阻(R4)的另一端与所述第四MOS管(M4)的栅极共同连接光探测器的输出端。
4.根据权利要求1所述的带有直流电平漂移消除电路的可见光通信接收机专用芯片,其特征在于,所述三级限幅放大器(3)中的第一级放大电路和第二级放大电路结构相同,均是以二极管形式连接的MOS管为负载的基本差分放大器,所述三级限幅放大器(3)中的第三极放大电路包括有:第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)和第八MOS管(M8),所述第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的漏极均连接VDD电源,所述第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的栅极各通过一个电阻(R5/R6)连接VDD电源,所述第五MOS管(M5)和第六MOS管(M6)的源极分别构成输出端(Out3/Out4)分别连接所述双端转单端电路(4)的输入端和直流电平偏移消除电路(6)的输入端,所述第五MOS管(M5)的源极还分别连接所述第七MOS管(M7)的漏极以及第二电容(C2)的一端,所述第七MOS管(M7)的源极通过接地电流(Is)接地,所述第二电容(C2)的另一端与所述第八MOS管(M8)的栅极共同连接第二级放大电路的输出端,所述第六MOS管(M6)的源极还分别连接所述第八MOS管(M8)的漏极以及第一电容(C1)的一端,所述第八MOS管(M8)的源极通过接地电流(Is)接地,所述第一电容(C1)的另一端与所述第七MOS管(M7)的栅极共同连接第二级放大电路的输出端。
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