[发明专利]正性光刻胶

说明书

技术领域

本申请涉及微电子器件、光电器件的制造领域，具体涉及一种在亲水衬底表面有超高粘附性的正性光刻胶。

背景技术

光刻胶组合物大量用于集成电路(IC)、平板显示器(FPD)等精细图形制作工艺中，如用于制造LED芯片金属导电电极。通常，使用微影法实现规模化生产，该方法包括在基底涂布对含活性射线比较敏感的光致抗蚀剂，以在基片上形成薄膜有选择性地保护抗蚀剂下面的基片，烘干抗蚀剂以蒸发溶剂，形成干膜，经过含活性射线有紫外(UV/Deep-UV)、X-ray和电子束等辐射光源曝光后，再使用显影液来显影，完成显影工序的基板再以腐蚀液蚀刻，并移除剩余的光抗蚀剂层，从而获得良好的图像。光刻胶在衬底表面的粘附性对该工艺有着很大的影响，若粘附性较小，易发生膜的脆裂。

光刻胶根据其化学反应机理和成像机理不同，分为正性光刻胶和负性光刻胶。目前的正性光刻胶通常通过加入多官能团的有机胺类或与金属配位的胺类提高其与衬底的粘附性，但是这类正性光刻胶仅在金属表面的粘附性有所提高，而对亲水性衬底表面的粘附力有限。

有鉴于此，有必要提供一种改进的正性光刻胶，以解决上述技术问题。

发明内容

为了解决上述问题之一，本申请提出了一种在亲水衬底表面有超高粘附性的正性光刻胶。

为了实现上述发明目的，本发明提供一种正性光刻胶，包括如下成分：1份～20份酚醛树脂、1份～3份醚化三聚氰胺树脂、3份～8份重氮类光敏剂、0.01份～1份酸类、40份～60份极性溶剂。

作为本发明的进一步改进，所述醚化三聚氰胺树脂为

其中R为烷基。

作为本发明的进一步改进，所述醚化三聚氰胺树脂的醚化程度介于70％～90％之间。

作为本发明的进一步改进，所述酚醛树脂选自10份～20份线性酚醛树脂、1份～5份全邻甲酚树脂、3份～10份高支化度树脂中的至少一种，所述高支化度树脂为间甲酚、对甲酚与2,5-二甲酚的混合物与甲醛进行聚合得到的树脂。

作为本发明的进一步改进，所述线性酚醛树脂为间甲酚与对甲酚的混合物与甲醛聚合的线性酚醛树脂，间甲酚:对甲酚的份数比介于1:1～2.5:1之间。

作为本发明的进一步改进，所述全邻甲酚树脂为100％临甲酚与甲醛聚合的树脂。

作为本发明的进一步改进，所述间甲酚、所述对甲酚、所述2,5-二甲酚混合的份数比例为67：23：10。

作为本发明的进一步改进，所述正性光刻胶还包括0.5份～3份多苯环多羟基酚类。

作为本发明的进一步改进，所述重氮类光敏剂为2,2‘,4,4’-4羟基二苯甲酮和2,1,5-重氮萘醌黄酰氯的酯化物。

作为本发明的进一步改进，所述极性溶剂选自醋酸丁酯，乳酸乙酯，丁酸甲酯、伽马-丁内酯、丙二醇甲醚醋酸酯、二甘醇、三甘醇、二甘醇丁醚中的至少一种。

本发明的有益效果：本发明的正性光刻胶，通过在正性光刻胶中加入醚化三聚氰胺树脂，在有机强酸等酸类的作用下，通过加热，预交联，使得该正性光刻胶在未经HMDS处理的亲水性衬底表面有超高粘附性，尤其是二氧化硅表面有良好的粘附能力，可以简化IC芯片等制造的流程、降低制造成本和人员伤害。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请具有代表性的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本发明的正性光刻胶，包括如下成分：1份～20份酚醛树脂、1份～3份醚化三聚氰胺树脂、3份～8份重氮类光敏剂、0.01份～1份酸类、40份～60份极性溶剂。通过加入醚化三聚氰胺树脂，在有机强酸等酸类的作用下，通过加热实现预固化，使得该正性光刻胶在未经HMDS处理的亲水性衬底表面有超高粘附性，尤其是二氧化硅表面有良好的粘附能力，可以简化IC芯片等制造的流程、降低制造成本和人员伤害。

所述酚醛树脂选自10份～20份线性酚醛树脂、1份～5份全邻甲酚树脂、3份～10份高支化度树脂中的至少一种。

其中，所述线性酚醛树脂为间甲酚与对甲酚的混合物与甲醛聚合的线性酚醛树脂，间甲酚:对甲酚的份数比介于1:1～2.5:1之间，例如：间甲酚:对甲酚的分数比为5:5，间甲酚:对甲酚的分数比为6:4，间甲酚:对甲酚的分数比为7:3。