[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201711003536.9 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108039366A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;金锐;潘艳;赵岩;温家良;徐向前;刘双宇;周哲;朱涛;刘江;徐哲;赵哿;王耀华 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 mos 过渡 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，所述结构包括：
衬底(101)和所述衬底(101)上表面设置的元胞掺杂区(102、103)、汇流条(106)、终端掺杂区(107)和终端场板(108)；所述衬底(101)下表面设置有背面掺杂区(104)和背面金属电极(109)；
所述元胞掺杂区(103)的上表面设置有正面金属电极(105)；所述正面金属电极(105)与所述元胞掺杂区(102)欧姆接触；
所述汇流条(106)与所述衬底(101)过渡区上表面形成MOS结构；
所述终端掺杂区(107)的上表面设有终端场板(108)；
所述背面金属电极(109)与所述背面掺杂区(104)欧姆接触。
2.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，所述汇流条(106)与有源区中所述元胞掺杂区(102)、终端掺杂区(107)形成反型MOS结构。
3.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，
所述衬底(101)为n型，所述元胞掺杂区(102)为p型，所述元胞掺杂区(103)为n型，所述背面掺杂区(104)为p型，所述终端掺杂区(107)为p型。
4.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，
所述衬底(101)为p型，所述元胞掺杂区(102)为n型，所述元胞掺杂区(103)为p型，所述背面掺杂区(104)为n型，所述终端掺杂区(107)为n型。
5.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，过渡区的所述汇流条(106)为多晶硅或金属材料。
6.如权利要求2所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，所述反型MOS结构沟道长度为1～100um，所述汇流条(106)长度为1～500um，MOS结构绝缘层为0.01～100um厚。
7.如权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构，其特征在于，
所述晶体管用于基于Si、SiC、GaN半导体材料的IGBT、MCT和BJT三端器件。
8.一种如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管反型MOS过渡区结构制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
(1)在衬底(101)的上表面形成元胞掺杂区(102、103)和终端区掺杂(107)；
(2)在衬底(101)有源区的上表面形成栅氧结构；
(3)在栅氧上形成汇流条(106)；
(4)在元胞掺杂区(102)形成上表面正面金属电极(105)和终端区场板(108)；
(5)在所述汇流条(106)和终端场板(108)上形成钝化层结构；
(6)在所述衬底(101)下表面形成背面掺杂区(104)和背面金属电极(109)。
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