[发明专利]半导体装置以及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，包括：

一基底；

一井区，形成于该基底内；

一第一隔离区与一第二隔离区，形成于该基底内，其中，该第一隔离区相邻于该第二隔离区，且该第二隔离区具有一上表面；

一介电层，形成于该井区之上，且设置于该第一隔离区与该第二隔离区之间，其中，该介电层具有一第一侧壁，且该第二隔离区的该上表面的一边界对齐该介电层的该第一侧壁；

一导电层，形成于该介电层之上；

一第一掺杂区，形成于该井区内，且设置于该第一隔离区与该介电层之间，其中，该井区与该第一掺杂区具有相同的导电类型，以及该第一掺杂区直接接触该井区；

一绝缘层，形成于该介电层、该第一隔离区、该第二隔离区、以及该第一掺杂区之上；

一第一接触插塞，形成于该绝缘层内，且与该导电层电连接，其中，该第一接触插塞设置于该介电层与该导电层之间的一重迭区域之上；以及

一第二接触插塞，形成于该绝缘层内，且与该第一掺杂区电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该井区根据该第一隔离区而分为一第一区域以及一第二区域；以及

其中，该介电层形成于该井区的该第一区域之上，且该第一掺杂区形成于该井区的该第一区域内。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该导电层的宽度小于该介电层的宽度。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一接触插塞的一部分直接设置于该介电层与该导电层之间的该重迭区域之上。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，该导电层的宽度大于该介电层的宽度。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一接触插塞的整体直接设置于该介电层与该导电层之间的该重迭区域之上。

7.一种制造半导体装置的方法，其中，包括：

提供一基底；

于该基底内形成一井区于该基底内；

于该基底内形成一第一隔离区与一第二隔离区，其中，该第一隔离区相邻于该第二隔离区，且该第二隔离区具有一上表面；

于该第一隔离区与该第二隔离区之间的该井区之上形成一介电层，其中，该介电层具有一第一侧壁，且该第二隔离区的该上表面的一边界对齐该介电层的该第一侧壁；

于该介电层之上形成一导电层；

于该井区内形成一第一掺杂区，其中，该井区与该第一掺杂区具有相同的导电类型，以及该第一掺杂区设置于该第一隔离区与该介电层之间且直接接触该井区；

于该介电层、该第一隔离区、该第二隔离区、以及该第一掺杂区之上形成一绝缘层；

于该绝缘层内且于该介电层与该导电层之间的一重迭区域之上形成一第一接触插塞，其中，该第一接触插塞与该导电层电连接；以及

于该绝缘层内形成一第二接触插塞，其中，该第二接触插塞与该第一掺杂区电连接。

8.如权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中，该井区根据该第一隔离区而分为一第一区域以及一第二区域；以及

其中，该介电层形成于该井区的该第一区域之上，且该第一掺杂区形成于该井区的该第一区域内。

9.如权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中，该导电层的宽度小于该介电层的宽度。

10.如权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中，该第一接触插塞的一部分直接设置于该介电层与该导电层之间的该重迭区域之上。

11.如权利要求10所述的制造半导体装置的方法，其中，该导电层的宽度大于该介电层的宽度。

12.如权利要求7所述的制造半导体装置的方法，其中，该第一接触插塞的整体直接设置于该介电层与该导电层之间的该重迭区域之上。