[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在管芯上形成导电柱；

使用焊料将测试探针耦合到所述导电柱；以及

使用第一刻蚀工艺对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀，所述第一刻蚀工艺包括使用相同的氮系刻蚀剂对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀，以使所述导电柱不形成盐或形成的盐少于所述焊料形成的盐。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，在所述刻蚀之前，所述焊料接触所述导电柱的顶表面及侧壁。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀以从所述导电柱的所述顶表面及所述侧壁移除所述焊料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，还包括：在将所述测试探针耦合到所述导电柱之后，测试所述管芯。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，所述刻蚀是在所述测试之后执行。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，还包括：在对所述焊料及所述导电柱进行刻蚀之后，在所述管芯之上形成介电质，所述介电质接触所述导电柱的侧壁。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，还包括：

将所述管芯放置在载体衬底上；

在所述载体衬底上且邻近所述管芯处形成通孔；以及

使用模制化合物来包封所述管芯及所述通孔。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，还包括：

在所述管芯及所述通孔之上形成重布线层；以及

在所述重布线层上形成外部触点。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，所述焊料与所述导电柱由不同的材料形成。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

使用焊料将测试探针耦合到导电柱；

在对所述测试探针进行耦合之后，从所述导电柱移除所述测试探针；

在移除所述测试探针之后，使用刻蚀工艺从所述导电柱移除所述焊料的剩余部分，所述刻蚀工艺包括使用氮系刻蚀剂对所述焊料进行刻蚀，所述氮系刻蚀剂包括过渡金属离子，且对所述焊料的刻蚀包括从所述导电柱的侧壁与顶表面移除所述焊料；以及

在从所述导电柱移除所述焊料的所述剩余 部分之后，在所述导电柱的被刻蚀的所述侧壁及所述顶表面上形成介电材料。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，使用所述氮系刻蚀剂对所述焊料进行刻蚀将清洁所述导电柱。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，所述导电柱是铜柱体。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征 在于，所述刻蚀工艺包含以包括所述过渡金属离子的所述氮系刻蚀剂刻蚀所述焊料，以使所述导电柱不行成盐或形成的盐少于所述焊料形成的盐。

14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在管芯上形成铜柱体；

在所述铜柱体上形成焊料球；

对所述焊料球进行回流以形成焊料连接部，所述焊料连接部接触所述铜柱体的侧壁并将测试探针耦合到所述铜柱体的顶表面；

使用所述测试探针来测试所述管芯；以及

使用氮系刻蚀剂对所述铜柱体的所述顶表面及所述侧壁进行刻蚀，其中接触所述铜柱体的所述侧壁的所述焊料球在所述刻蚀中被移除。