[发明专利]一种制备（002）取向的AZO透明导电薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备(002)取向的AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于制备的AZO薄膜为(002)取向生长，且其光电性能优异，主要包括以下步骤：

1)前驱体胶体制备：

将二水乙酸锌溶解在乙二醇甲醚溶剂中，加入一定量的乙醇胺作为稳定剂，搅拌溶解后，加入适量的九水硝酸铝，50-70℃恒温水浴搅拌3-4h后，然后过滤，将过滤后的溶胶老化60-80h，得到金属离子浓度为0.2-0.6mol/L的AZO前驱体溶胶；

2)AZO薄膜的制备：

将步骤1)制得的前驱体溶胶，采用旋涂方法沉积在清洗过的基片上，得到AZO凝胶薄膜，在空气中400-500℃预处理8-15min，然后降至室温，再重复旋涂，得到一定厚度的AZO薄膜；

3)AZO薄膜在高纯95N₂/5H₂混合气体中的退火处理：

将步骤2)制备的AZO薄膜放入管式炉中，从室温开始加热，升温速率为3-5℃/min，首先500-550℃预处理30-60min，然后在保持500-550℃情况下抽真空至低于10Pa，接着充入高纯95N₂/5H₂混合气体，然后再抽真空至低于10Pa，接着再次充入高纯95N₂/5H₂混合气体，如此反复抽真空3-5次后，充入高纯95N₂/5H₂混合气体，压强保持在1.31×10⁵Pa，继续在500-550℃烧结30-60min，烧结完毕，在保持压强的情况下，停止加热，自然冷却至室温，停止通气，即可得到(002)取向生长的AZO薄膜。

2.按照权利要求1所述的一种制备(002)取向的AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：步骤1)所述的Zn²⁺:乙醇胺按摩尔比为1:1。

3.按照权利要求1所述的一种制备(002)取向的AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：步骤1)所述的Al³⁺：(Zn²⁺+Al³⁺)按摩尔比为0.5％-2.5％。

4.按照权利要求1所述的一种制备(002)取向的AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：步骤2)所述的基片为玻璃片或石英片。

5.按照权利要求1所述的一种制备(002)取向的AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：步骤2)所述的基片清洗过程为将玻璃片或石英基片依次放入去离子水、丙酮和无水乙醇中，超声清洗10min，然后用高纯氮气吹干。