[发明专利]存储器控制器的操作方法和包括其的存储装置的操作方法

说明书

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2016年10月24日提交的韩国专利申请No.10-2016-0138578的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及半导体存储器装置，更具体地说，涉及操作存储器控制器的方法和操作包括该存储器控制器的存储装置的方法。

背景技术

半导体可分为当电源中断时丢失其存储的数据的易失性存储器装置(诸如静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等)和即使当电源中断时也保持其存储的数据的非易失性存储器装置(诸如只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、铁电RAM(FRAM)和电阻式RAM(RRAM)等)。

闪速存储器被广泛用作用户装置的高容量存储介质。随着计算技术发展，基于闪速存储器的高容量存储介质需要更进一步提高的性能。正在开发各种技术或者装置以提高基于闪速存储器的高容量存储介质的性能。

发明内容

本公开的示例实施例提供了一种通过存储器控制器执行的控制具有第一平面和第二平面的非易失性存储器装置的方法。所述方法可包括步骤：将包括在命令队列中的第一命令发送至非易失性存储器装置。当第三命令在命令队列中排在第二命令之前时，对第二命令的块地址与第三命令的块地址进行比较。基于比较结果选择性地将第二命令在第三命令之前发送至非易失性存储器装置。第一命令是相对于第一平面的命令，第二命令是相对于第二平面的命令，第三命令是相对于第一平面和第二平面的多平面命令。

本公开的示例实施例提供了一种通过具有存储器控制器以及包括第一平面和第二平面的非易失性存储器装置的存储装置执行的方法。所述方法可包括步骤：处理包括在存储器控制器的命令队列中的第一命令。当第三命令排在第二命令之前时，对第二命令的块地址与第三命令的块地址进行比较。根据比较结果在第三命令之前处理第二命令。第一命令是相对于第一平面的命令，第二命令是相对于第二平面的命令，第三命令是相对于第一平面和第二平面的命令。

本公开的示例实施例提供了一种通过存储器控制器执行的控制具有第一平面和第二平面的非易失性存储器装置的方法。所述方法可包括步骤：寻址第一平面，将第一命令发送至非易失性存储器装置，并且在从非易失性存储器装置接收到对第一命令的响应之前，寻址第二平面，将第二命令发送至非易失性存储器装置。

本公开的示例实施例提供了一种通过存储器控制器执行的控制具有第一平面和第二平面的非易失性存储器装置的方法。所述方法包括步骤：将包括在命令队列中的第一命令发送至非易失性存储器装置；当第三命令在命令队列中排在第二命令之前时，确定第二命令和第三命令的类型；以及基于确定结果选择性地将第二命令在第三命令之前发送至非易失性存储器装置。第一命令是相对于第一平面的命令，第二命令是相对于第二平面的命令，第三命令是相对于第一平面和第二平面的多平面命令。

本公开的示例实施例提供了一种通过具有存储器控制器和非易失性存储器的存储装置执行的方法。所述方法包括步骤：将第一命令从存储器控制器传达至非易失性存储器，第一命令在存储器控制器的命令队列中具有最高执行优先级。当将在命令队列中相对于第一命令具有次高优先级的第二命令发送至与第一命令相同的非易失性存储器的平面时，所述方法包括将命令队列中的第三命令从存储器控制器传达至非易失性存储器，所述第三命令没有发送至与第一命令相同的非易失性存储器的平面。否则，将第二命令从存储器控制器传达至非易失性存储器。

附图说明

以下将参照附图更加详细地描述本公开的实施例。然而，本公开的实施例可按照不同的形式实施，并且不应被理解为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开详尽和完整，并且将把本公开的范围充分传递给本领域技术人员。相同标号始终指代相同元件。

图1是示出根据本公开的示例实施例的存储装置的框图；

图2是详细示出图1的存储器控制器的框图；

图3是示出图1的非易失性存储器装置的框图；

图4是示出图3的存储器块的图；

图5是示出根据本公开的示例实施例的命令调度方法的流程图；

图6是用于解释根据本公开的示例实施例的示出性命令类型的图；

图7是用于解释图5的操作方法的图；