[发明专利]延长固态硬盘寿命的方法

说明书

本发明提供一种延长固态硬盘寿命的方法，其包含下列步骤：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一。由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的写入/抹除次数。当写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。

技术领域

本案涉及一种延长固态硬盘寿命的方法，实质上是涉及一种藉由对达到一定写入/抹除次数的实体存储区块进行降阶以达到延长使用寿命的延长固态硬盘寿命的方法。

背景技术

NAND闪速存储器(Flash)是固态硬盘(SSD)用来承载、存储数据的存储器，固态硬盘可透过控制器(Controller)进行各种运算处理，而这些过程中的任何一个细节，都有可能影响到固态硬盘的产品效能表现、可靠度、稳定度等等。

闪速存储器在格式上可分为单层式存储(Single-Level Cell, SLC)、多层式存储(Multiple-Level Cell,MLC)或是三层式存储 (Triple-Level Cell,TLC)，其是以内存单元阵列的方式来存储数据，而内存单元是由一浮动闸极晶体管(floating-gatetransistor)来进行实作，透过控制浮动栅极晶体管上的电荷个数来设定导通此内存单元的所需临界电压，进而存储至少一位元以上的信息，而当一特定电压施加于浮动栅极晶体管的控制栅极上时，浮动栅极晶体管的导通状态便会指示出浮动栅极晶体管中所存储的一或多个二进位数字。

然而，当内存单元无法完全支援所写入的电压位准或是电压位准发生漂移(shift)或沾黏(sticky)的问题时，则此时数据的写入便会发生错误，而发生此种错误的区块便称之为故障区块(Bad Block)。

在现行的故障区块管理机制中，被判断为故障区块的使用区块将永远没有再被使用的价值，因此，若能妥善使用该些可能成为故障区块的使用区块，使其在成为故障区块前另可产生额外的功能，将可有效地提升固态硬盘的使用效率，并可避免成本上的浪费。

发明内容

基于上述目的，本发明提供一种延长固态硬盘寿命的方法，其中固态硬盘承载闪速存储器，闪速存储器属于多层式存储闪速存储器，延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的二分之一。由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的写入/抹除次数。当写入/抹除次数超过写入/抹除上限值时，将实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。

优选地，当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式，且转换后为单层式存储格式的若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，固态硬盘可进入一唯读状态。

优选地，各实体存储区块的容量于多层式存储格式转换为单层式存储格式后，单层式存储格式的各实体存储区块的容量为多层式存储格式的各实体存储区块的容量的二分之一，当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式时，闪速存储器的容量等于固态硬盘的逻辑存取容量。

基于上述目的，本发明再提供一种延长固态硬盘寿命的方法，其中固态硬盘承载闪速存储器，闪速存储器属于三层式存储闪速存储器，延长固态硬盘寿命的方法包含下列步骤：设定固态硬盘的逻辑存储区块的个数为闪速存储器的实体存储区块的个数的三分之一。由闪速存储器的控制单元读取闪速存储器的各实体存储区块的第一写入/ 抹除次数。当第一写入/抹除次数超过第一写入/抹除上限值时，将实体存储区块由三层式存储格式转换为多层式存储格式。由控制单元读取转换为多层式存储格式的各实体存储区块的第二写入/抹除次数。当第二写入/抹除次数超过第二写入/抹除上限值时，将转换为多层式存储格式的实体存储区块由多层式存储格式转换为单层式存储格式。其中，逻辑存储区块的个数为不变的固定值。

优选地，当若干个实体存储区块皆转换为单层式存储格式，且转换后为单层式存储格式的若干个实体存储区块的故障区块比例大于预设比例时，固态硬盘可进入唯读状态。