[发明专利]一种自支撑垂直结构LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种自支撑垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在衬底上采用PECVD技术或者磁控溅射技术设置金属薄膜；

S2：采用MOCVD技术在金属薄膜上依次设置N-GaN层、InGaN/GaN量子阱和P-GaN层，或者依次设置P-GaN层、InGaN/GaN量子阱和N-GaN层；

S3：进行退火处理，衬底因热冲击从而自动破碎，促使衬底与金属薄膜分离；

S4：当N-GaN层、InGaN/GaN量子阱和P-GaN层依次设置在金属薄膜上时，在P-GaN层上镀制p电极；当P-GaN层、InGaN/GaN量子阱和N-GaN层依次设置在金属薄膜上时，在N-GaN层上镀制n电极；

S5：腐蚀电极图案以及去胶处理；

S6：进行激光切割，从而获得自支撑垂直结构的LED芯片。

2.根据权利要求1所述的一种自支撑垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中的金属薄膜的厚度为30-200微米。

3.根据权利要求1所述的一种自支撑垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中的金属薄膜为Al单晶薄膜或者Cu单晶薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种自支撑垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中的退火处理时的温度下降速率为50-100℃/min。

5.一种应用权利要求1-4任一所述的制备方法制备而成的自支撑垂直结构LED芯片，其特征在于：包括金属薄膜、N-GaN层、InGaN/GaN量子阱、P-GaN层和p电极，所述N-GaN层、InGaN/GaN量子阱、P-GaN层和p电极依次设置在金属薄膜上。

6.一种应用权利要求1-4任一所述的制备方法制备而成的自支撑垂直结构LED芯片，其特征在于：包括金属薄膜、P-GaN层、InGaN/GaN量子阱、N-GaN层和n电极，所述P-GaN层、InGaN/GaN量子阱、N-GaN层和n电极依次设置在金属薄膜上。