[发明专利]半导体制程方法

说明书

一种半导体制程方法，包括在一研磨垫上研磨一晶圆，使用一垫修整器的一碟盘对研磨垫进行修整，以及将一热交换介质导入碟盘。被导入碟盘的热交换介质的温度不同于研磨垫的温度。

技术领域

本申请实施例涉及一种半导体制程方法，特别涉及一种在化学机械研磨(Chemical mechanical Polish，CMP)制程中控制研磨垫的温度的方法。

背景技术

化学机械研磨(CMP)是用来形成集成电路的一常见做法。CMP通常用于半导体晶圆的平坦化。CMP可利用物理及化学力的协同效应(synergetic effect)来研磨晶圆。其实施方式包括，当一晶圆被放置于一研磨垫上时，施加一负载力至晶圆的背面，且在研磨垫及晶圆被转动的同时，使包含磨料(abrasives)及反应性化学品(reactive chemicals)的一研磨浆(slurry)通过两者之间。CMP是实现晶圆整体平坦化的一有效方法。

发明内容

本申请一实施例提供一种半导体制程方法，包括在一研磨垫上研磨一晶圆。上述方法亦包括使用一垫修整器的一碟盘对研磨垫进行修整。此外，上述方法还包括将一热交换介质导入碟盘。其中，被导入碟盘的热交换介质具有一第一温度，不同于研磨垫的一第二温度。

本申请一实施例提供一种半导体制程方法，包括在一研磨垫上研磨一晶圆。上述方法亦包括使用一垫修整器的一碟盘对研磨垫进行修整。上述方法还包括将一冷却介质导入及导出碟盘，其中冷却介质用于降低研磨垫的一顶表面温度。此外，上述方法还包括将一加热介质导入及导出碟盘，其中加热介质用于提高研磨垫的顶表面温度。

本申请一实施例提供一种半导体制程方法，包括在一研磨垫上研磨一晶圆。上述方法亦包括执行一第一检测，以检测研磨垫的一温度。上述方法还包括基于所检测到的温度高于一第一预定温度的情况，将一冷却介质导入及导出一垫修整器的碟盘，其中碟盘在冷却介质被传导的同时对研磨垫进行修整。此外，上述方法还包括基于所检测到的温度低于一第二预定温度的情况，将一加热介质导入及导出碟盘，其中碟盘在加热介质被传导的同时对研磨垫进行修整。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1显示根据一些实施例一化学机械研磨(CMP)装置/系统的部分的示意图。

图2显示根据一些实施例研磨垫在CMP期间的一些温度曲线。

图3显示根据一些实施例一CMP装置/系统的部分的示意图，其中一垫修整器的一碟盘被移离一研磨垫。

图4显示根据一些实施例一研磨垫的峰值温度为被研磨的晶圆的顺序的函数的示意图。

图5显示根据一些实施例一晶圆固持器的剖视图。

图6显示根据一些实施例研磨垫在CMP期间的一些温度曲线。

图7显示根据一些实施例研磨垫在CMP期间的一些温度曲线。

第8A及8B图分别显示根据一些实施例，用于传导冷却介质或加热介质的通道的锯齿状配置及螺旋状配置。

附图标记说明：

10～化学机械研磨装置、化学机械研磨系统；

12～研磨平台；

14～研磨垫；

16～晶圆固持器；

18～研磨浆分配器；

20～碟盘；

22～研磨浆；

24～晶圆；