[发明专利]CMOS图像传感器的晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆具有多个图像传感器芯片，所述图像传感器芯片相互之间具有切割道，所述图像传感器芯片具有感光区域和非感光区域，所述感光区域上具有像素单元，所述非感光区域上具有焊盘；

提供塑模，所述塑模的第一表面有若干第一凹槽，所述第一凹槽对应于图像传感器芯片的感光区域和部分非感光区域；贴附金属薄片于所述塑模的第一表面，去除对应于所述第一凹槽的部分金属薄片；弯折金属薄片至贴附于所述第一凹槽的侧表面；于所述第一凹槽中粘合透光盖板；

于所述金属薄片对应于芯片的感光区域外与焊盘之间的区域覆盖胶水，将所述塑模的第一表面与第一晶圆进行键合，固化的胶水与透光盖板密封对应的单个芯片感光区域，所述焊盘与金属薄片的水平区域电气连接；去除塑模，暴露出透光盖板、金属薄片，填充覆盖金属薄片之间的第二凹槽；

沿所述切割道切割键合的晶圆形成封装件。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，采用临时胶合方式贴附金属薄片于所述塑模的第一表面，所述临时胶合方式为：水溶胶合方式、UV照射胶合方式、加热胶合方式。

3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，去除塑模及清除临时胶合的胶水后，填充胶水于金属薄片与芯片非感光区域之间的间隙，保护焊盘的电气连接点。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，填充胶水于弯折的金属薄片之间第二凹槽，固化后，胶水的高度低于弯折的金属薄片的高度。

5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，粘合透光盖板和金属薄片；所述透光盖板低于弯折的金属薄片的顶部。

6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述暴露出透光盖板的步骤后，减薄第一晶圆。

7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述金属薄片的材质为铜、铝、金或合金。

8.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，于所述第一晶圆的焊盘表面形成合金材质凸点，所述合金材质凸点于晶圆键合时电气连接于所述金属薄片。

9.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，采用银浆连接、异方性导电胶连接、脉冲焊接连接、超声波连接、焊球热连接的方式键合所述焊盘和金属薄片。

10.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为100微米至400微米，宽度为大于芯片感光区域的宽度。

11.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的晶圆级封装方法，其特征在于，所述透光盖板为红外滤光片、蓝玻璃。