[发明专利]晶振驱动电路有效
| 申请号： | 201710990918.9 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107666314B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邵博闻 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03L3/00 | 分类号： | H03L3/00;H03L5/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动 电路 | ||
1.一种晶振驱动电路，其特征在于，包括：第一~第六MOS、第一~第二电阻和隔直耦合装置；
第一~第三MOS的源极连接电源电压，第四~第六MOS的源极连接地；
第一MOS漏极通过第一电阻连接第四MOS漏极，第二MOS的漏极连接第五MOS漏极，第三MOS漏极连接第六MOS漏极；
第一~第三MOS的栅极互连并与第五MOS的漏极连接，第四MOS栅极连接隔直耦合装置第一端，第五MOS栅极连接在第四MOS漏极和第一电阻之间，第六MOS栅极连接隔直耦合装置第二端；
隔直耦合装置第一端连接在第一MOS漏极和第一电阻之间，隔直耦合装置第二端通过第二电阻连接第三MOS漏极；
其中，第一~第三MOS是PMOS，第四~第六MOS是NMOS。
2.如权利要求1所述晶振驱动电路，其特征在于：隔直耦合装置在晶振驱动电路启动振动前进行隔直，隔直耦合装置在晶振驱动电路启动振动后将第六MOS栅极的交流信号耦合到第一MOS漏极。
3.如权利要求1所述晶振驱动电路，其特征在于：隔直耦合装置是隔直电容。
4.一种晶振驱动电路，其特征在于，包括：第一~第九MOS、第一~第二电阻和隔直耦合装置；
第一~第三MOS和第七MOS的源极连接电源电压，第四~第六MOS和第九MOS的源极连接地；
第一MOS漏极通过第一电阻连接第四MOS漏极，第二MOS的漏极连接第五MOS漏极，第三MOS漏极连接第六MOS漏极；
第一~第三MOS和第七MOS的栅极互连并与第五MOS的漏极连接，第四MOS栅极连接隔直耦合装置第一端，隔直耦合装置第一端连接在第一MOS漏极和第一电阻之间，第五MOS和第九MOS的栅极连接在第四MOS漏极和第一电阻之间，第六MOS栅极连接第八MOS栅极，第二电阻连接在第六MOS栅极和漏极之间；
第七MOS漏极连接第八MOS漏极，第八MOS源极连接第九MOS漏极和隔直耦合装置第二端。
5.如权利要求4所述晶振驱动电路，其特征在于：第六MOS是PMOS，第七MOS和第八MOS是NMOS。
6.如权利要求5所述晶振驱动电路，其特征在于：第八MOS为零阈值NMOS，隔直耦合装置是隔直电容。
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