[发明专利]一种通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法在审
| 申请号： | 201710987040.3 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107731664A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张涛;王晓龙;李德建;吴鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通过 双重 图形 技术 增加 高深 光刻 工艺 窗口 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法，其特征在于，包括下列步骤：
将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合；
利用第一光罩对工艺图形进行第一次光刻处理；
利用第二光罩对工艺图形进行第二次光刻处理；
其中，所述第一光罩和第二光罩组合形成的工艺窗口图形为工艺要求的像素尺寸，所述第一光罩和第二光罩为1D沟槽图形光罩。
2.根据权利要求1所述的通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述第一光罩包括多个沿着第一方向平行设置的沟槽图形光罩，所述第二光罩包括多个沿着第二方向平行设置的沟槽图形光罩。
3.根据权利要求2所述的通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述第一光罩中多个沟槽图形光罩在第一方向上的间距为第一尺寸，所述第二光罩中多个沟槽图形光罩在第二方向上的间距为第二尺寸。
4.根据权利要求3所述的通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述第一尺寸和第二尺寸组合形成工艺要求的像素尺寸。
5.根据权利要求1所述的通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述第一光罩和第二光罩通过定位误差方法控制组合图形。
6.根据权利要求1所述的通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法，其特征在于，所述第一光罩和第二光罩采用1D沟槽图形的PSM光罩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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