[发明专利]存储器及其制备方法、半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其制备方法、半导体器件。

背景技术

存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线，所述源区用于构成位线接触区，以连接至位线，所述漏区用于构成存储节点接触区，以连接至存储电容器。

随着半导体制作工艺中集成度的不断增加，提升存储器的集成密度已成为一种趋势。然而，在元件尺寸缩减的要求下，存储电容器的排布数量受到很大的限制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器及其制备方法、半导体器件，提高存储器中存储电容器的集成度。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器的制备方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成多个呈阵列排布且沿第一方向延伸的有源区，每一所述有源区中形成有一位线接触区和多个存储节点接触区，所述存储节点接触区延伸在所述有源区的延伸方向上并位于所述位线接触区的两侧；

形成多条沿第二方向延伸的字线在所述衬底内；

形成多条沿第三方向延伸的位线在所述衬底上，所述位线与相应的所述有源区相交以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线；

形成多个存储节点接触在所述衬底的所述有源区上，所述存储节点接触与所述存储节点接触区对应连接；以及

形成一接触垫在所述衬底上，所述接触垫与对应的所述存储节点接触电性连接并相对于连接的所述存储节点接触沿着所述第二方向偏移延伸，并且所述接触垫的排列图案不同于所述存储节点接触的排布图案。

可选的，在形成所述位线后，还包括：形成多条沿第二方向延伸的字线隔离线在所述衬底上，所述字线隔离线对准在所述字线上。

可选的，所述字线隔离线的顶面高于所述位线的顶面，用以限制所述接触垫沿着所述第二方向在所述字线隔离线之间的偏移延伸。

可选的，在第二方向上相邻的所述接触垫沿着所述第二方向往相同的方向偏移，在第三方向上相邻的所述接触垫沿着所述第二方向往相反的方向偏移。

可选的，形成所述字线的步骤包括：

形成多个第一凹槽在所述衬底内；

依次形成一第一介质层、一第一导电层以及一第二导电层在所述第一凹槽内；以及

部分去除所述第一介质层、所述第一导电层以及所述第二导电层，剩余的所述第一介质层、剩余的所述第一导电层和剩余的所述第二导电层构成所述字线，并且所述字线的顶表面低于所述第一凹槽的顶表面，以在所述第一凹槽中位于所述字线上方的部分构成一第二凹槽。

可选的，在形成所述字线之后，且在形成所述位线接触之前，还包括：在所述第二凹槽内填充第一绝缘层。

可选的，在形成所述字线之后，以及在形成所述位线之前，还包括形成一位线接触在所述有源区的所述位线接触区上，所述位线接触的形成步骤包括：

形成第二绝缘层在所述衬底上，所述第二绝缘层覆盖所述所述字线；

刻蚀所述第二绝缘层形成一第一开口，以暴露出所述有源区中的所述位线接触区；以及

填充第一导电材料在所述第一开口内以形成所述位线接触，所述位线接触与所述位线接触区电性连接。

可选的，形成所述位线的步骤包括：

依次形成第三导电层、第四导电层和第二介质层在所述衬底上，第三导电层、第四导电层和第二介质层覆盖所述第二绝缘层以及所述位线接触；以及

依次刻蚀所述第二介质层、第四导电层以及第三导电层，以形成所述位线，所述位线与所述位线接触电性连接。

可选的，所述衬底上定义有用于形成存储器的第一区域和用于形成外围电路的第二区域，位于所述第一区域内的所述位线与位于所述第二区域内的外围晶体管在同一步骤中形成。

可选的，形成所述存储节点接触的步骤包括：

形成第三绝缘层在所述衬底上，所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层和所述位线；

刻蚀所述第三绝缘层，形成沿所述第二方向延伸的字线隔离线；

刻蚀暴露出的所述第二绝缘层，以形成多个第二开口，所述第二开口暴露出所述有源区中的所述存储节点接触区；以及

填充第二导电材料在所述第二开口内，以形成所述存储节点接触，所述存储节点接触与所述存储节点接触区电性连接，且所述第二导电材料部分填充所述第二开口。

可选的，形成所述接触垫的步骤包括：