[发明专利]电子枪、掩膜版制备方法及半导体装置

权利要求书

1.一种电子枪，其特征在于，包括：

枪体及电子抑制结构，所述枪体具有一发射端，所述电子抑制结构固设于所述发射端，并位于所述发射端的开口的径向外侧，所述电子抑制结构用于在所述电子枪使用时接地，所述枪体产生的电子束自所述发射端发射，所述电子抑制结构吸收所述电子束发射至目标后反弹的电子。

2.如权利要求1所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构呈环状，套装于所述发射端。

3.如权利要求2所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构的开口面积大于所述发射端的开口面积。

4.如权利要求2所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构呈圆环状。

5.如权利要求4所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构的内径为5cm～10cm，宽度为1cm～1.5cm。

6.如权利要求1所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构可拆卸安装于所述发射端，或者，所述电子抑制结构永久性安装于所述发射端。

7.如权利要求6所述的电子枪，其特征在于，所述发射端突出于所述电子抑制结构5cm～10cm。

8.如权利要求1所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构的材质为导体。

9.如权利要求8所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构的材质为碳及其合金中的至少一种。

10.如权利要求1所述的电子枪，其特征在于，所述电子抑制结构上具有若干沿环绕所述电子束的方向间隔排列的凹陷。

11.如权利要求10所述的电子枪，其特征在于，所述凹陷朝向所述目标。

12.如权利要求10或11所述的电子枪，其特征在于，所述凹陷为凹槽。

13.一种掩膜版制造方法，其特征在于，利用如权利要求1-12中任一项所述的电子枪进行图形制备。

14.一种半导体装置，其特征在于，包括如权利要求1-12中任一项所述的电子枪。