[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括外延片和电极，其特征在于，所述电极由粘附层、反光层、第一保护层、打线层、第二保护层、第一隔离层与第二隔离层构成，所述粘附层、所述反光层、所述第一保护层和所述打线层依次层叠在所述外延片上；所述反光层的上表面为所述反光层设置所述第一保护层的表面，所述反光层的侧面为所述反光层中除所述反光层的上表面和所述反光层设置在所述粘附层上的表面之外的表面，所述粘附层的侧面为所述粘附层中除所述粘附层设置所述反光层的表面和所述粘附层设置在所述外延片上的表面之外的表面，

所述第一保护层的材料为镍，所述反光层与所述打线层为Al膜，所述第一隔离层设置在所述反光层和所述第一保护层之间，所述第一隔离层为Ti膜或者Cr膜，所述第二隔离层设置在所述第一保护层和所述打线层之间，所述第二隔离层为Ti膜或者Cr膜，所述第二保护层从所述第一保护层的上表面的边缘区域，经过所述第一保护层、所述第一隔离层、所述反光层和所述粘附层的侧面，延伸到所述外延片的表面，

在所述反光层的侧表面上方的第二保护层的外边缘与所述反光层的所述侧表面的外边缘之间的距离为2μm～5μm。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二保护层的材料为二氧化硅、氮化硅或者三氧化二铝。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二保护层的厚度为50nm～1500nm。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述粘附层为Cr膜、Ni膜或者Ti膜；当所述粘附层为Cr膜时，所述粘附层的厚度为1nm～5nm；当所述粘附层为Ni膜或者Ti膜时，所述粘附层的厚度为50nm～150nm。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述反光层的厚度为50nm～150nm。

6.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一外延片；

在所述外延片上形成电极；

其中，所述电极由粘附层、反光层、第一保护层、打线层、第二保护层、第一隔离层与第二隔离层构成，所述粘附层、所述反光层、所述第一保护层和所述打线层依次层叠在所述外延片上，所述第二保护层从所述第一保护层的上表面的边缘区域，经过所述第一保护层、所述第一隔离层、所述反光层和所述粘附层的侧面，延伸到所述外延片的表面；所述反光层的上表面为所述反光层设置所述第一保护层的表面，所述反光层的侧面为所述反光层中除所述反光层的上表面和所述反光层设置在所述粘附层上的表面之外的表面，所述粘附层的侧面为所述粘附层中除所述粘附层设置所述反光层的表面和所述粘附层设置在所述外延片上的表面之外的表面，

所述第一保护层的材料为镍，所述反光层与所述打线层为Al膜，所述第一隔离层设置在所述反光层和所述第一保护层之间，所述第一隔离层为Ti膜或者Cr膜，所述第二隔离层设置在所述第一保护层和所述打线层之间，所述第二隔离层为Ti膜或者Cr膜，

设置在所述反光层的侧表面的第二保护层的外边缘与所述反光层的所述侧表面的外边缘之间的距离为2μm～5μm。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延片上形成电极，包括：

采用光刻技术在所述外延片上形成第一图形的光刻胶；

采用磁控溅射技术在所述第一图形的光刻胶和所述外延片上依次铺设粘附层的材料和反光层的材料；

去除所述第一图形的光刻胶，所述外延片上的粘附层的材料形成粘附层，所述外延片上的反光层的材料形成反光层；

在所述反光层和所述外延片上铺设第二保护层的材料；

采用光刻技术在所述第二保护层的材料上形成第二图形的光刻胶；

湿法腐蚀所述第二保护层的材料，所述第二图形的光刻胶的覆盖的第二保护层的材料形成第二保护层；

去除所述第二图形的光刻胶；

采用光刻技术在所述外延片上形成第三图形的光刻胶；

采用磁控溅射技术在所述第三图形的光刻胶、所述第二保护层和所述反光层上依次铺设第一保护层的材料和打线层的材料；

去除所述第三图形的光刻胶，所述第二保护层和所述反光层上的第一保护层的材料形成第一保护层，所述第二保护层和所述反光层上的打线层的材料形成打线层。