[发明专利]基于SLM制备原位自生TiB2增强复合材料的方法有效
申请号: | 201710985284.8 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN107937762B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 吴一;陈哲;廉清;李险峰;章敏立;王浩伟 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C22C21/02 | 分类号: | C22C21/02;C22C32/00;C22C1/04;C22C1/10;B33Y10/00;B33Y70/00 |
代理公司: | 31236 上海汉声知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭国中<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 原位自生 复合材料 制备 复合材料粉末 纳米颗粒增强 孔洞 航空航天领域 增强复合材料 混合盐反应 材料内部 微观组织 应用潜力 真空雾化 细化 打印 观察 保证 | ||
本发明提供了一种基于SLM制备原位自生TiB2增强复合材料的方法,包括以下步骤:A1、以KBF4、K2TiF6粉末为原料,利用混合盐反应法制备得到原位自生TiB2纳米颗粒增强Al7SiCu0.5Mg复合材料;A2、将步骤A1得到的复合材料进行真空雾化,得复合材料粉末;A3、将所述复合材料粉末采用3D打印制备得到SLM样品。本发明采用SLM制备得到原位自生TiB2纳米颗粒增强Al7SiCu0.5Mg复合材料,其微观组织得到了极大细化,材料内部未观察到明显的孔洞或裂纹,在保证塑性的前提下大幅度提高强度,在航空航天领域有巨大的应用潜力。
技术领域
本发明属于金属学及金属工艺技术领域,尤其是涉及一种基于激光选区熔化(SLM) 制备原位自生TiB2纳米颗粒增强Al7SiCu0.5Mg复合材料的方法。
背景技术
航空航天、国防军工等领域的飞速发展,对材料力学性能以及结构复杂程度提出了新的要求。原位自生TiB2纳米颗粒增强铝基复合材料由于其密度小、比强度高、比模量大等优点,具有广阔的应用前景。然而,传统制备工艺已经难以满足上述领域对复杂结构的需求,将原位自生TiB2纳米颗粒增强铝基复合材料与激光增材制造技术相结合,很好地解决了这一难题。
激光选区熔化(SLM)由于冷却速度极快,可以极大地细化晶粒,改善颗粒及合金元素分布,使得微观组织更加均匀,从而提高材料的塑性、强度及耐腐蚀性能。然而,铝及其合金由于其流动性差、激光反射率高、热导率大、易氧化等特点,给成形过程带来极大的困难,目前只有流动性能较好的Al10SiMg和Al12Si在SLM上得到了研究和应用。但是,Si相作为脆相,在提升强度的同时会降低材料的塑性,阻碍了基于SLM 铝基复合材料在航空航天、国防军工等领域的应用。
发明内容
本发明针对上述技术中存在的不足,提供一种基于激光选区熔化(SLM)制备原位自生TiB2纳米颗粒增强Al7SiCu0.5Mg复合材料的方法。通过设计基体合金成分为Al7SiCu0.5Mg,并通过反应生成2.5wt%原位自生TiB2纳米颗粒作为增强相,然后进行 3D打印,可以制备得到致密度较高的产品,满足实际生产的需求。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明提供了一种基于SLM制备原位自生TiB2增强复合材料的方法,包括以下步骤:
A1、以KBF4、K2TiF6粉末为原料,利用混合盐反应法制备得到原位自生TiB2纳米颗粒增强Al7SiCu0.5Mg复合材料;
A2、将步骤A1得到的原位自生TiB2纳米颗粒增强Al7SiCu0.5Mg复合材料进行真空雾化,得复合材料粉末;
A3、将所述复合材料粉末采用3D打印制备得到SLM样品。
优选地,步骤A1中,所述TiB2纳米颗粒在Al7SiCu0.5Mg复合材料中的含量为2.5wt%。
优选地,步骤A1中,所述TiB2纳米颗粒的粒径为7~1500nm。
优选地,步骤A2中,所述真空雾化的条件为:熔体温度800~1200℃,使用Ar和/ 或He气体保护并气雾化,气压1.5~9.5MPa,喷嘴直径0.5~3mm。
优选地,步骤A2中,所述复合材料粉末的粒径为小于55μm。由于激光选区熔化由于精度和层厚有限制,若粉末粒径过大将难以成形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710985284.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于电梯的防抱死制动装置以及用于对其进行控制的方法
- 下一篇:地下水处理设备