[发明专利]一种多晶硅层桥接断路的解决方法

权利要求书

1.一种多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，包括下列步骤：

获取多晶硅层，以及有源区层，接触孔层参考层的完整设计版图，针对多晶硅层选出线宽小于第一设定线宽，图形间距小于第一设定图形间距的图形，标记为问题图形；

针对上述问题图形选出多晶硅层线宽小于第二设定线宽，且到相邻图形间距小于第二设定图形间距的边，将其与相邻图形正对的部分进行扩大或合并操作，以满足光刻工艺要求；

生成多晶硅层切割图形，在初始问题图形邻边正对部分生成一个矩形，以此矩形中心为原点，填补一块设定尺寸大小的切割图形；

对生成的多晶硅层切割图形进行正常的OPC后续修正处理,得到OPC修正结果。

2.根据权利要求1所述的多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，该方法根据设计规则以及实际工艺能力进行选择与调整，包括多晶硅图形线宽及相邻多晶硅图形之间的间距，用以选择不满足、不利于实际工艺要求，易出现桥接或短路的边界。

3.根据权利要求2所述的多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，根据实际工艺能力设置所述第一设定线宽的范围为10nm～120nm，所述第一设定图形间距的范围为50～200nm。

4.根据权利要求2所述的多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，所述第二设定线宽及第二设定图形间距的值取决于技术节点和光刻工艺的能力，根据实际工艺能力设置所述第二设定线宽的范围为10nm～80nm，所述第二设定图形间距的范围为50～180nm，扩大/合并后的多晶硅图形的线宽大于相应技术节点光刻工艺所能曝出的最小线宽，图形周期大于光刻工艺能解析的最小图形周期。

5.根据权利要求2所述的多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，所述切割图形尺寸满足当前多晶硅线端切割工艺所能解析的最小尺寸，根据实际工艺能力设置其一边的尺寸范围为50～200nm，另一边的尺寸大于100nm。

6.根据权利要求2所述的多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，所述生成的切割图形边界朝空间更大方向移动一定距离，使相邻切割图形正对部分之间的间距满足多晶硅切割工艺所要求的最小间距，根据实际工艺能力，所述移动距离的范围为0～15nm，所述最小间距的范围为40～65nm。

7.根据权利要求2所述的多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，所述切割图形的线端边超出所切割多晶硅层的最小长度满足实际工艺要求，根据实际工艺能力设置所述切割图形的线端边超出所切割多晶硅层的最小长度D的范围为30～60nm。

8.根据权利要求2所述的多晶硅层桥接断路的解决方法，其特征在于，所述切割图形到有源区、接触孔的最小距离满足设计规则及实际工艺要求，根据实际工艺能力，到有源区的最小距离的范围为5～20nm，到接触孔的最小距离的范围0.5～10nm。