[发明专利]通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法

权利要求书

1.一种通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、在基体上形成若干个基本结构单元，并将若干个基本结构单元与基本结构单元堆砌组装形成具有网络结构的一级基本几何单元，并形成位于相邻基本几何单元之间的一级接触连接区，所述一级接触连接区连接的强弱和数量通过一级基本几何单元中基本结构单元的排列数量和排列方式调节；

步骤二、将若干个所述一级基本几何单元通过阵列堆积组合形成二级几何结构，并形成位于相邻一级基本几何单元之间的二级接触连接区，所述二级接触连接区连接的强弱和数量通过二级几何结构中一级基本几何单元的排列数量和排列方式调节；

步骤三、在基体上至少两处点导电胶从而形成压阻式传感器的电极，获得压阻式传感器。

2.根据权利要求1所述的通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，其特征在于：所述基本结构单元和基本几何单元的制作方法为光刻、软刻、印刷、喷涂或者原位生长。

3.根据权利要求1所述的通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，其特征在于：所述基本结构单元和基本几何单元的制作方法为激光书写。

4.根据权利要求1所述的通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，其特征在于：所述基体为聚酰亚胺薄膜，膜厚10~2000μm。

5.根据权利要求4所述的通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，其特征在于：所述聚酰亚胺薄膜的厚度为100~150μm。

6.根据权利要求1所述的通过多级结构设计制备高敏感度压阻式传感器的方法，其特征在于：所述基本结构单元为碳/石墨纳米粒子、金属纳米粒子或者半导体纳米粒子。