[发明专利]波长转换部件、发光器件和波长转换部件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710984168.4 申请日: 2017-10-20
公开(公告)号: CN107978663A 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 古山忠仁;藤田俊辅 申请(专利权)人: 日本电气硝子株式会社
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/50
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 龙淳,梁霄颖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 波长 转换 部件 发光 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种波长转换部件,其包括:

荧光体层,其包括玻璃基体和分散在玻璃基体中的荧光体颗粒;和

低折射率层,其设置在所述荧光体层的表面,且折射率为所述荧光体颗粒的折射率以下,

所述波长转换部件的特征在于:

所述低折射率层具有凹凸结构,该凹凸结构的波纹度曲线的均方根斜率WΔq为0.1~1。

2.如权利要求1所述的波长转换部件,其特征在于:

通过沿着所述荧光体层的从所述玻璃基体表面凸出的所述荧光体颗粒设置所述低折射率层,将所述低折射率层形成为凹凸结构。

3.如权利要求1或2所述的波长转换部件,其特征在于:

所述低折射率层的算术平均粗糙度为3μm以下。

4.如权利要求1~3中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

所述低折射率层由玻璃构成。

5.如权利要求1~4中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

所述低折射率层表面的露出有所述荧光体颗粒的面积的比率为15%以下。

6.如权利要求1~5中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

所述荧光体颗粒的平均粒径为10μm以上。

7.如权利要求1~6中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

所述低折射率层的厚度为0.1mm以下。

8.如权利要求1~7中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

所述荧光体层中的所述荧光体颗粒的含量为40~80体积%。

9.如权利要求1~8中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

所述荧光体层与所述低折射率层的热膨胀系数差为60×10-7/℃以下。

10.如权利要求1~9中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

在所述荧光体层的两面设置有所述低折射率层。

11.如权利要求1~10中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

所述荧光体层的从表面起到深度20μm为止的范围内的空隙率为20%以下。

12.如权利要求1~11中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

在所述低折射率层的表面设置有电介质膜。

13.如权利要求1~12中任一项所述的波长转换部件,其特征在于:

供投影仪使用。

14.一种发光器件,其特征在于,包括:

权利要求1~13中任一项所述的波长转换部件;和

对所述波长转换部件照射具有激发所述荧光体颗粒的激发波长的光的光源。

15.一种波长转换部件的制造方法,其用于制造权利要求1~13中任一项所述的波长转换部件,该波长转换部件的制造方法的特征在于,包括:

准备包含玻璃粉末和荧光体颗粒的荧光体层用生片的工序;

准备包含玻璃粉末的低折射率层用生片的工序;和

在所述荧光体层用生片之上层叠所述低折射率层用生片并在层叠后的状态下进行烧制的工序,

在烧制工序中,以使所述低折射率层用生片所使用的玻璃粉末的粘度达到107dPa·s以下的温度进行加热。

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