[发明专利]低Tg聚醚类全固态单离子导电聚合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201710983776.3 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107793564B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 程寒松;孙玉宝;陈亚洲;潘其云;李万清 | 申请（专利权）人： | 萨尔法（武汉）新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C08G65/34 | 分类号： | C08G65/34;H01M10/0565 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 高玲玲 |
| 地址： | 430040 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tg 聚醚类全 固态 离子 导电 聚合物 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低Tg聚醚类全固态单离子导电聚合物，其特征在于：所述聚合物的通式为其中A为离子导体链段，B为低Tg链段；
A为式2：
其中Y为Li、Na或K；R’为烷基；
所述B为全氟烷氧链或硅氧链。
2.一种根据权利要求1所述低Tg聚醚类全固态单离子导电聚合物的制备方法，其特征在于：采用A单体和B单体为原料溶解在溶剂中，先在室温～90℃下反应3小时，然后在120～160℃下反应10小时，冷却后，减压蒸馏除去溶剂，对得到的聚合物放入透析袋中用去离子水透析3天，除去小分子，除水并干燥，得到导电聚合物；
A单体为式4：
其中X为F、Cl、Br或I；Y为Li、Na或K；R’为烷基官能团；
所述B单体为HO-R-OH，其中R-为全氟烷氧链或硅氧链。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述溶剂为DMAC、DMSO、DMF或NMP。
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