[发明专利]一种有机发光二极管显示器在审
申请号: | 201710983112.7 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN107799572A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 金江江;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 显示器 | ||
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机发光二极管显示器。
【背景技术】
有源矩阵有机发光器件(AMOLED)具有对比度高、响应速度快、无需背光源等特点,因此被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等产品中。
为了实现全彩化AMOLED,需要提高AMOLED的对比度。现有实现全彩化AMOLED是采用RGB并列式AMOLED,这种显示方案需要使用精细金属掩模(FMM)实现全彩色图案,然而受到孔径比以及FMM网格宽度的限制,因此难以实现高分辨率AMOLED,同时大量的FMM制造工艺十分复杂,造成生产成本较高。
因此,有必要提供一种有机发光二极管显示器,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示器,能够提高有机发光二极管器件的对比度以及出光率,降低功耗。
为解决上述技术问题,本发明提供一种有机发光二极管显示器,其包括:
主动阵列层;
有机发光显示层,位于所述主动阵列层上,所述有机发光显示层包括红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元;
第一无机层,位于所述有机发光显示层上;
滤光层,位于所述第一无机层上,所述滤光层包括多个用于提高出光效率的滤光单元,所述滤光单元包括第一滤光单元、第二滤光单元及第三滤光单元,所述第一滤光单元与所述红色发光单元的位置对应,所述第二滤光单元与所述绿色发光单元的位置对应,所述第三滤光单元与所述蓝色发光单元的位置对应;所述第一滤光单元的材料为红色油墨,所述第二滤光单元的材料为绿色油墨,所述第三滤光单元的材料为蓝色油墨;
第一有机层,位于所述滤光层上;
第二无机层,位于所述第一有机层上。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述滤光单元之间间隔设置。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述滤光单元的形状为半球形。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述滤光单元的半径范围为1μm-5μm。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述滤光单元与对应的第一无机层的接触角的角度大于50度,且小于90度。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述第一滤光单元、所述第二滤光单元及所述第三滤光单元的数量相等。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述有机发光二极管显示器还包括:第三无机层,所述第三无机层位于所述滤光层和所述第一有机层之间。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述有机发光二极管显示器还包括:第二有机层,位于所述第一无机层和所述滤光层之间。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述第一无机层的厚度范围为100nm-1000nn。
在本发明的有机发光二极管显示器中,所述第一无机层的材料为SiNx、SiO2、Al2O3以及ZrO2中的一种。
本发明的有机发光二极管显示器,通过在红、绿、蓝发光单元上分别设置不同材料的滤光单元,从而通过滤光单元过滤与发光单元相同颜色以外的光谱,以提高显示器的对比度;且该滤光单元还可以提高出光率,从而降低了功耗。
【附图说明】
图1为本发明一实施例的有机发光二极管显示器的结构示意图;
图2为图1中滤光单元的放大结构示意图;
图3为本发明另一实施例的有机发光二极管显示器的结构示意图;
图4为本发明又一实施例的有机发光二极管显示器的结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
请参阅图1,图1为本发明一实施例的有机发光二极管显示器的结构示意图。
如图1所示,本实施例的有机发光二极管显示器包括主动阵列层11、有机发光显示层12、第一无机层13、滤光层14、第一有机层15以及第二无机层16。该主动阵列层11具有多个薄膜晶体管,该薄膜薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极。该主动阵列层11可包括用于形成沟道的主动层、栅绝缘层、第一金属层、层间绝缘层以及第二金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的